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8051은 프로그램 메모리와 데이터 메모리를 각각 64K 바이트까지 확장할 수 있다. 따라서 SRAM 6264를 사용한다. SRAM 6264는 데이터 입/출력 단자 8개와 8K바이트(어드레스 단자 13개)의 용량을 갖고 있다.
(가) 6264 동작 모드
6264 SRAM의 동작 모드는 4가
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⑤ PSW(Program Status Word)
⑥ Program Counter(PC)
⑦ 그 외의 CPU 레지스터
메모리 구조
프로그램 메모리
데이터 메모리
8051동작을 위한 회로연결
8051의 인터페이스
발진회로
리셋회로
외부 메모리 인터페이스
C언어의 기본적인 사항들
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8051 Micro Processor....................................19
2.4.1 8051 Micro Processor의 기본적인 특징................19
2.4.2 8051 Micro Processor의 계열별 특징......................20
2.5 완성 회로도....................................20
2.5 구동 소스 코드......................
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8051 C 실습
by Ohm 사
-센서기술 입문
by 성안당
-메카트로닉스 제어기술
by 세화 출판사 편집부
-센서와 전자회로
by 전자기술연구회 편
-월간지(전자과학,월간전기,반도체소자)
-Stepping motdor and their micro processor controls
by Kenjo, Takashi Oxford Universi
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프로세서 실습, 태영문화사, 2012
남시병, 마이크로프로세서, 두양사, 2007
메이크큐알(makeQR) <http://www.makeqr.kr/index.html>
QR Code.com <http://www.qrcode.com/ko/index.html> Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
1. 마이크로프로세서의 발전 과정
1) Microprocessor의
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회로이다는 것을 이 리포트를 작성 하면서 알 수 있었다.
IV. 참고사항
- 로보블럭 정보광장-8051-㉤펄스회로-클리핑 회로
http://www.roboblock.co.kr/info/info1.htm
- stable00의 블로그 정보광장-8051-㉤펄스회로-클리핑 회로
http://www.roboblock.co.kr/info/info1.htm
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(1) 발진 회로 :
HMOS와 CMOS의 발진회로는 다르다.
But, 외부에 수정 발진자를 연결 하는 것은 똑같다.
(2) 리셋회로 :
RST단자를 ‘H’로 한다. ( 8051은 최소 24클럭 (2머신 사이클) 이상 유지 해야 함 )
1. 파워 온 리셋 (처음 전원이 들어
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[ERROR : 10731] 오류 발생. I. 서론
II. 본론
A. 다이오드 클리퍼
i. 클리퍼란?
ii. 직․병렬 클리핑 회로
a) 직렬 클리핑 회로
b) 병렬 클리핑 회로
iii. 바이어스된 클리핑 회로
a) 바이어스된 병렬 클리핑 회로
b) 2중 바이어스된 병렬 클
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OVCA, @A + DPTR
CALLLCD_DAT
INCDPTR
DJNZR3, LOOP2
LOOP1:MOVA, #DSPOFF
CALLLCD_CMD
CALLD1S
MOVA, #DSPON
CALLLCD_CMD
CALLD1S
DJNZR4, LOOP1
/**************** 시작화면 끝 *********************/
/****************** 패턴저장 ***********************/
MOVDPTR, #STR1; DPTR <- 등록패턴 선두 어드레스
MOVR5,
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f [0] & 0xF0) >> 4) * 10) + (rtbuf [0] & 0x0F);
rtc->secs = (((rtbuf [1] & 0x70) >> 4) * 10) + (rtbuf [1] & 0x0F);
rtc->minutes = (((rtbuf [2] & 0x70) >> 4) * 10) + (rtbuf [2] & 0x0F);
rtc->hours = (((rtbuf [3] & 0x30) >> 4) * 10) + (rtbuf [3] & 0x0F);
rtc->day =
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