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이용
7-세그먼트를 한 순간에 1개씩 표시하고, 아주 빠른 속도로 자리수를 돌아가면서 수를 표시하면 모든 자리수의 수가 한꺼번에 표시된 것으로 보임
Bipolar Junction Transistor를 이용한 switching
NPN형 트랜지스터를 이용한 스위칭
제어신호의
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Bipolar Junction Transistor를 이용한 switching
실습1
BJT를 이용한 7-segement switching
10진수의 자리수별 배열 저장하기
Unsigned 2바이트 정수 num과 radix를 인자로 받아 4자리수 7-세그먼트 표현법
실습 2
헤더파일에서 선행처리기 #ifndef의 사용: 예시
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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