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트랜지스터
특 징
- 신호 증폭용, Switch 이용목적
- 3개의 반도체 영역으로 구성
- emitter, base, collector 라고 불림 E,B,C표기 트랜지스터
특 징
BJT의 작동
바이어싱
기 호
회로 구성
특성 곡선
특 성
전류들의 관계
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이득
■입력저항
■출력저항
■전류이득
■전력이득
CE(Common-Emitter )
Ri
크다
Ai
크 다
Av
작다 1이하
Ro
중 간
=
6.공통이미터증폭기 (Common-Emitter,CE)
parameter
해석
수식
hie
Common-Emitter 입력 임피던스
Vb/Ib
hre
Common-Emitter 역방향 전압비
Vb/Vc
hfe
Common-Emit
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는 매우 작아서 무시할 수 있다.
■전압이득
■입력저항
■출력저항
■전류이득
■전력이득
CE(Common-Emitter )
Ri
중 간
Ai
크 다
Av
크 다
Ro
중 간
DC해석
AC해석
= 1.소신호 증폭기
2.h-parameter
3.r-parameter
4.공통이미터증폭기 (Common-Emitter,CE)
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CE증폭기보다 높다. 따라서 교류 전류이득으로 곱해진 후 베이스의 입력임피던스는 CE 증폭기보다 훨씬 높아진다.
Ⅲ.CE 증폭기
1.회로도
2.특성
①입력은 베이스이며, 출력은 컬렉터이다.
②입출력간에는 위상반전이 일어난다.
③C1과 C3는 입출
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전류의 베이스 접지의 경우와 같다. 이 회로에서 에미터에 유입되는 전류는 IE = IB + IC 로 된다. 이 접속법에서 (CE회로에서), 출력전류/입력전류의 비는 IC / IB 로 주어진다. 이것을 CE회로의 전류증폭률 β라 부른다.(CE전류 이득 current gain)즉,
(1)
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