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트랜지스터
특 징
- 신호 증폭용, Switch 이용목적
- 3개의 반도체 영역으로 구성
- emitter, base, collector 라고 불림 E,B,C표기 트랜지스터
특 징
BJT의 작동
바이어싱
기 호
회로 구성
특성 곡선
특 성
전류들의 관계
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있는 데이터들과 친숙해 진다.
2. CE회로의 콜렉터 특성곡선(VCE 대 IC)을 실험에서 결정하고 그린다.
3. CE회로의 평균 콜렉터 특성을 트렌지스터 커브 트레이스를 사용하여 나타낸다.
▣기본지식
▣실험 기기 및 부품
▣실험순서
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관찰하고, 그 결과를 표 4.1에 기록하라.
예측) 이론값
R2
Ib
Ic
최대
0
0
최소
0.044 mA
8.5 mA
4. IB가 10uA가 되도록 가변저항 R2를 조절하라. 또한 VCE가 6V가 되도록 가변저항 R4를 조절하라. 이 때의 IC를 측정하여 표 4.1에 기록하라.
예측)
Ib
R2
Vce
R4
Ic
이
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특성 곡선
BJT의 동작원리에서 설명한 내용이지만 아래 그림과 같은 BJT 출력 특성 곡선을 이해하는 것이 매우 중요하기 때문에이 그래프는 V_BE를 매개 변수로 하여 V_CE에 대한 I_C 곡선을 나타낸 것이다.
위 그래프는 BJT를 bias하여 collector 전류
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특성을 이해하기 위해서는 2개의 특성곡선이 필요하다. 즉, 그림 14-11과 같은 입력(베이스)특성곡선과 출력(콜렉터)특성곡선이다. 입력특성곡선은 여러 가지 출력전압
(V_CE )
에 대하여 입력전압
(V_BE )
에 대한 입력전류
(I_B )
의 관계를 나타낸
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