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charge-carrier mobility, W : gate width, L : gate length, Cox : capacitance at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압
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이동하여 쌓이게 된다. - P type
Charge carrier (-) - 음의 경우 전압 v는 전류 I 와 반대 방향이며 전하의 부호와 속도의 방향이 달라졌으므로 힘은 같은 방향이다 이때, 음의 전하가 쌓이게 되므로 Hall Voltage와 coefficient의 부호는 음이된다. - N type
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향의 속도의 sign은 역이되고 Lorentz force는 변하지 않는다. 결과로써 Hall field는 negative charge를 가지고 있는 carrier의 방향과 반대가 되어야 한다. Hall field의 측정이 charged carrier의 sign을 정의할 수 있다는 것이 가장 중요하다. Hall의 본래 data는 후
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Charge carrier)의 종류(양전하, 음전하)
-전하 수송체 밀도(Charge carrier density) 산출
-전류 I 를 흘리고 있는 직사각 판형 시편을 전류에 수직방향으로 가해진 자기장 B 속에 둔다.
-로렌쯔 힘에 의해 전하 수송자가 휘게 되어 양쪽에 쌓임
-전압(Hall vo
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charge carrier mobility(전하이동도)
N : charge carrier concentration(전하농도)
• 면저항 (< 10-3Ω)
R=1/(σd)
σ : 전기 전도도
d : 박막두께 TCO (Transparent Conducting Oxide)
• TCO란 무엇인가?
• TCO의
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