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ESCA(XPS)의 장점은 Charge up의 영향이 AES보다 적으므로 절연체 시료 분석이 용이하다. X선 조사에 의한 시료 손상은 전자선 조사에 비해 경미하고, 화학상태분석, (반)정량 분석이 용이하다. Ion Sputtering, 각도분해법으로 비파괴 깊이방향 분석 가
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여년 동안 ESCA는 특히 고체표면과 계면의 구성원소나 그의 화학 결합상태를 밝혀내는 전자 분광법의 하나로 금속, 촉매, 반도체 소자 재료, 세라믹스, 박막, 고분자 피막 등의 연구에 널리 이용되면서 새로운 연구분야로 각광받고 있습니다다.
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이에 따른 정전기적 상호작용에너지 때문이라고 풀이된다. 이 Chemical shift 현상을 이용하면 전자의 결합에너지를 정확히 측정함으로써 원소의 성분만이 아니라 그 원소의 화학결합상태까지 알아낼 수 있다.
(2) ESCA 장치의 주요 구조
ESCA 장치
조성측정방법 TGA, XRD DTA, 재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS),
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escape depth와 back-scattering 인자도 상쇄되어 NA/NAS = IA/IAs의 아주 간단한 식을 얻는다.
표준 시료를 쓰지 않을 때에는 한 원소를 기준으로 하여 다른 모든 원소들에 상대 감도 S를 부여하는 방법이 이용된다. 원소 A의 상대 감도를 SA라고 하면 x라는
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ESCA를 이용한 박막의 두께 측정
박막이 ESCA로 관찰할 수 있는 깊이 이내의 두께를 가질 때에는 ESCA에 의한 박막의 두께 측정이 가능해진다. 그림에서 S는 박막 F를 입히는 데에 사용한 기질이고 O는 박막 위에 생긴 덧층(overlayer, 주로 진공 중에
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