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Effective threshold voltage
1) Short channel effect
2) Reverse short channel effect
3) Narrow channel effect
3. Effective drain current and saturation current
1) Channel length modulation
2) Velocity saturation
3) Effective mobility
4. Issues of short channel
1)
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Threshold Voltage는 Fermi level의 위치와 두 개의 Tunneling Junction의 Capacitance에 영향을 받는다. 만일 Equilibrium Fermi level이 Gap의 중간에 있다면 두 개의 Tunneling Junction은 동일하고 Blockade Threshold Voltage는 가 된다. 그림 6.10c에서 보는 바와 같이, Drain 전압
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Threshold Voltage는 Fermi level의 위치와 두 개의 Tunneling Junction의 Capacitance에 영향을 받는다. 만일 Equilibrium Fermi level이 Gap의 중간에 있다면 두 개의 Tunneling Junction은 동일하고 Blockade Threshold Voltage는 가 된다. 그림 6.10c에서 보는 바와 같이, Drain 전압
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Voltage에 exponential하게 증가함.
결국 Diode의 Threshold Voltage Vth ≈ VD
2. 그런데, 그림 1.1의 Band Gap Diagram에서
eVD – Eg + (EF-EV) + (EC-EF) = 0 (1.1)
High doping condition에서는 EF-EV and EC-EF << Eg 이므로, 무시할 수 있다.
즉 식 (1.1)은 eVD = Eg
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voltage-dependent Na channel이 열리게 돼서 결국 action potential을 만들게 된다. 그러나 자극이 threshold를 넘지 못하면 positive-feedback이 일어나지 않아 action potential이 생기지 않는다.
≪ … 중 략 … ≫
2. voltage clamp
이론
Voltage clamp는 volta
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Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론
1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시
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좋아했던 과목은 무엇인가요?
38
threshold voltage 가 무엇인지 아는가?
39
LED에 대해 아는만큼 설명해주세요.
40
마지막으로 하고 싶은 말 있나요? 1. 면접경험 & 꿀팁
2. 실제 최신 면접기출(인성+직무) - 예시 답안은 포함되어 있지 않습니다.
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