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sult
실험값
이론값
0.692V
0.7V
9.27V
V
8.61V
V
- 초기값 -
(첨두치198㎷ 주파수1,000㎑)
- 실험1 -
(첨두치192㎷ 주파수999㎑)
- 실험2 -
(첨두치125㎷ 주파수1,004㎑)
- 실험3 -
(첨두치43.2㎷ 주파수1,053㎑)
▲ Reference
[(最新)電子工學實驗 / 개정판][이두복]동
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접지 사이를 들여다본 저항이다. 회로로부터 우리는 입력 단자와 접지 사이에 두 개의 병렬 저항, 즉 와 가 있다는 것을 알 수 있다. 따라서 이다. 출력 쪽에서는, 제어-전류 전원이 와 의 병렬 저항을 구동하고 있다. 따라서 이다. 는 입력 쪽에
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기의 이득은 소자의 내부 커패시턴스 때문에 스펙트럼의 고주파 끝쪽에서 떨어지게 된다. 한편, 저주파 끝쪽에서는 결합 커패시턴스와 바이패스 커패시턴스가 더 이상 완전한 단락 회로로 동작하지 않기 때문에, 이득이 떨어지게 된다. 증폭
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에미터 감생 저항이 없을 경우
=0.005Ω로 가정하고 식을 전개한다.
이다.
, ,
이다.
② 에미터 감생 저항이 있을 경우
, ,
이다.
4. CAD 도구(OrCAD-SPICE)를 이용한 설계과정
1) PSICE로 설계한 회로도
130Hz
28.565db
150kHz
28.648db
2) 에미터 저항이 없는 경우
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(단점).
트랜지스터 구조
.두 개의 PN 접합으로 나누어지는 도핑된 3개의 반도체 영역으로 구성되어 있다.
.에미터(Emitter) > 컬렉터(Collector) > 베이스(Base)
[불순물의 농도] 1. 실험목적
2. 실험 방법
3. 실험 기기
4. 회로도
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