FESEM image AES

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전문지식 15건

	Si(p-type) 기판위에 MOCVD TiN / MOCVD Co를 In-Situ 공정으로 증착 후 열처리 온... AES 결과를 보고 as-dep 상태의 박막 불순물을 확인하시오. 이후 열처리에 따른 불순물 거동이 어떻게 될지 예측하여 설명하시오. Sputter ↓ ↓ ↓ ← 불순물(C,O) ← TiN증착면에 불순물이 달러붙어 있다. Co TiN Si 위의 그래프를 보면 증착된 Co에서 S FESEM image AES, AFM image MOCVD, Si(p-type) 기판위에 MOCVD TiN / MOCVD Co를 In-Situ 공정으로 증착 후 열처리 온도에 따른 비저항 거동,	페이지 7페이지 가격 2,000원 등록일 2007.09.20 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	AES(Auger Electron Spectroscopy)의 원리와 구성 AES(Auger Electron Spectroscopy) (1) 기본원리 (2) AES/SAM의 구조 1. Electron Gun 2. Energy Analyzer 3. UHV chamber (10-10 torr) 4. Ion gun (3) AES분석의 종류 1. Auger Image Mapping 2. Auger Spectra 1)정성 분석 2)정량 분석 3. Auger Point Analysis 4. Auger Line Scan 5. 수직분포 AES 정성분석, SAM 정량분석, AES(Auger Electron Spectroscopy)의 원리와 구성,	페이지 5페이지 가격 1,000원 등록일 2011.01.25 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	전자현미경의 종류 Image를 볼 수가 있으며, 동시에 AFM의 각종 Image를 함께 볼 수가 있습니다. 이 NSOM 기술은 현재 광통신 분야의 연구와 미생물학, 화학, 반도체 등 여러 분야에서 응용되고 있습니다. NSOM의 핵심은 Probe-Tip을 만드는 기술이며,그 구조나 원리는 일반 현미경 stm, 전자현미경 sims, 전자현미경의 종류,	페이지 12페이지 가격 2,000원 등록일 2008.05.06 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 없음 최근 2주 판매 이력 없음
	다이오드와 트랜지스터 정리 - 반도체 특성 실험 리포트 image Mapping 이차원 표면에 존재하는 특정원소의 분포 상황을 보여주는 것으로 electron analyzer의 에너지 범위 분석하고자 하는 원소의 Auger특성 에너지 값을 포함하도록 설정한 후 전자빔을 분석 면에 주사시켜 위치별로 감지된 Auger 특성피크의 다이오드 diode, 트랜지스터 transistor, 다이오드와 트랜지스터 정리 - 반도체 특성 실험 리포트,	페이지 14페이지 가격 2,000원 등록일 2006.09.28 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) AES(Auger Electron Spectroscopy) (1) 기본원리 (2) AES/SAM의 구조 (3) AES분석의 종류 (4) 충전효과(charging effect) (5) 주요 적용 범위 (6) 시료 준비 (7) 장점과 단점 6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) (1) EDS 개요 (2) EDS를 이용한 정성분석 (3) EDS를 이 조성측정방법 TGA, XRD DTA, 재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS),	페이지 31페이지 가격 3,000원 등록일 2011.01.24 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음

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