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실험은 전체적으로 공통 드레인, 공통 게이트 증폭기의 동작과 전압이득을 살펴보는 실험을 하였다. 공통 드레인 증폭기에서 가장 먼저 위상차가 없이 파형이 진행되는 특성을 관찰할 수 있었다. 이는 공통 소스 증폭기에서는 입력단()와 출
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실험은 순조롭게 진행됐으며, 특히 슈미트트리거 회로에서 Hysteresis특성이 무엇보다도 흥미로웠고, noise따른 오차만큼 출력전압도 감소한다는 것도 흥미로웠습니다.
다음주에 실험할 FET실험도 사전에 FET에 대한 철저한 예비 공부와 그에따른
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◎ 예비 보고서
▶ 실험의 목표
▶ 실험 이론
◎ 결과 보고서
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FET 특성실험 시뮬레이션
실험순서 (1)부터 (11)의 시뮬레이션
실험 (13)의 시뮬레이션
실험 (17)에서 (22)까지의 시뮬레이션
V_GS
가 -0.8[V]에서 0[V]까지일 때의
I_D
V_GS
가 -0.8[V]에서 0[V]까지일 때의
I_D
실험 (25)의 시뮬레이션
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FET의 동작 모습이 BJT와 유사하기 때문에 어렵지 않게 실험을 통하여 이해할 수 있었으며, 다이오드와 캐패시터에 이해가 잘 되어있어서 Bonus Quiz의 회로에 대한 동작 이해를 잘 할 수 있었다.
B. 부족한 점
실험에서 잘 사용하지 않았던 BJT pnp형
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