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전문지식 132건

data를 통해 회절각 를 판독하여 면간거리 d를 구할 수 있다. 또한, 값을 사용한 Bragg`s law에서 hexagonal 구조의 a, c를 계산할 수 있는 다음의 식을 유도하고, 그림6의 GaN JCPDS data를 참조하여 격자상수의 오차가 비교적 적은 고각의 회절각과 그 면
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  • 등록일 2008.03.22
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성이 좋은 것으로 추측되나 실제 실험값은 HCl의 유량이 크게 혹은 작게 한다고 해서 파장이 짧아지지는 않았다. <그림 6-8>에서는 HCl 유량이 10sccm 일때 피크 파장이 가장 작은 것을 확인할 수 있다. 이것은 HCl의 유량이 작을 경우 성장된 GaN
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  • 등록일 2007.11.07
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려져 있다. 이와 같이 좋은 물질적 특성을 갖는 GaN는 MOCVD를 이용한 에피성장시 성장변수와 비평면 기판의 기하학적 특성을 조절하는 것에 의해 {1101} 면으로 구성되는 pyramid 형상의 날카로운 모양으로 성장이 가능하므로, 식각공정과 같은 후
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  • 등록일 2004.11.24
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GaN HEMTs transistor don’t need doping to obtain a high electron density. 4. Contacts - Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor. - Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off. 5. Summary 1. What’s HEMT? 2. 2DEG 3. Polarizat
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  • 등록일 2011.10.07
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GaN HEMT 소자 기술 개발 정보통신연구진흥원 ㆍ 정보통신정책연구원 IMT-2000 전력증폭기용 고성능 GaN HEMT 소자 기술 개발 정보통신연구진흥원 ㆍ 김효진 차세대이동통신기술(IMT-2000)발전동향분석및정책방향연구 1 정보통신연구진흥원 ㆍ 정
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  • 등록일 2008.09.16
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논문 4건

환(1999). 질적연구: 방법과 사례. 교육과학사. 한금섭(2003). “이주노동자 자녀 교육의 문제.” 복지동향 53, 17-19. Banks, James A.(2007). Multicultural education: Characteristics and Goals. In James A. Banks, Cherry A, McGee Banks(Eds.), Multicultural education: Issues and perspectives
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  • 발행일 2013.11.12
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GaN를 이용한 백색LED 램프 개발이 본격적으로 이루어지고 있다. 그러나 근본적인 고품위 반도체 재료로부터 LED 구현 시 광도, 색 온도, 색 연색 평가지수 등 고품위 성능지수 확보까지 아직도 백색 LED가 조명기기에 사용되기까지는 해결해야
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  • 발행일 2008.12.09
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  • 저자
Gan; Nam Hwang; Statistical and physical analysis of leakage and breakdown failure mechanisms of Cu/low-k interconnects, Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2005. IPFA 2005. Proceedings of the 12th International Symposium on the 27 June-1 , pp.267 - 270, July 2005. [24] Evtukh, A.
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  • 발행일 2008.03.12
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  • 저자
Gan, \"Development of Crash Reduction Factors Methods, Problems, and Research Needs\", TRR1840, Paper No. 03-4345. 10. E. Hauer(1997), \"Observational before-after studies on road safety\", Pergamon. 11. Ogden. K. W(1996),“Safer Roads : A Guide to Road Safety Engineering” 주 1 : 미국의 통계자료에 의
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  • 발행일 2010.04.13
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취업자료 13건

경쟁력을 확보해가고 있으며, 고부가가치 특화 파운드리로서의 성장 가능성이 매우 크다고 판단했습니다. 특히 친환경, 고효율 전력 변환이 핵심인 전장 및 산업용 시장에서 GaN 기술은 필수 불가결한 요소이며, 저는 이 분야에서의 실질적인
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  • 등록일 2025.04.22
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  • 직종구분 전문직
GaN 기반 고효율 전력변환기 설계와 스마트그리드 적용 기술 연구에 집중하고 싶습니다. 전력반도체 소자는 에너지 효율 향상과 친환경 시스템 구축에 핵심 기술로 부상하고 있기 때문입니다. 또한, 스마트그리드의 분산형 에너지 관리 시스
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  • 등록일 2025.07.16
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  • 직종구분 교육 강사직
깊게 다루었습니다. 이 과목에서는 CNN(합성곱 신경망), RNN(순환 신경망), GAN(생성적 적대 신경망) 등 다양한 딥러닝 모델을 구현하고 실험하면서, 복잡한 데이터셋을 처리하는 기술을 배웠습니다. 특히 이미지 처리와 자연어 처리 분야에서 딥
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
최적의 솔루션을 개발하고 싶습니다. 4. 면접 예상 질문 - 전력 변환 시스템 개발에서 가장 중요하게 고려해야 할 요소는 무엇이라고 생각하나요? - 최근 전력 반도체 기술(SiC, GaN 등)의 발전이 전력변환 장치에 미치는 영향은 무엇인가요? -
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  • 직종구분 기타
GAN 기반 데이터 증강 기법과 이미지 필터링을 적용하여 데이터 품질을 향상시켰고, 결과적으로 모델의 성능이 15% 향상되었습니다. Q3. 아이디스에서 이루고 싶은 최종 목표는 무엇인가요? A3. 아이디스에서 AI 기반 영상 분석 기술을 활용하여
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  • 직종구분 일반사무직
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