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되고 이에 따라 핀치 현상이 일어나서 n 과 n층이 붙을 수가 있다. p층이 매우 얇기 때문이다.
결과보고서
<2008 일반전자 공학 실험>
-JFET 특성-
강남준 조교님 반
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살펴본 것과 같이 공핍층이 두꺼워 지면서 포화 영역에 다다르게 되고 이에 따라 핀치 현상이 일어나서 n 과 n층이 붙을 수가 있다. p층이 매우 얇기 때문이다.
결과보고서
<2008 일반전자 공학 실험>
-JFET 특성-
강남준 조교님 반 없음
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경우,
S가 열린 경우,
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp269-279.
네이버 백과사전, 핀치오프 전압, http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=756729 1. 실험결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문헌
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6
16.46
16.49
16.53
16.62
16.35
13
23.07
22.22
21.32
20.41
19.65
19.77
19.79
19.83
19.91
19.89
15
26.40
25.58
24.69
23.79
23.03
23.05
23.05
23.14
23.21
23.27
<공핍형 MOSFET의 드레인 특성 실험결과표>
(2) 고찰
1) JFET 바이어스와 BJT 바이어스의 차이점을 설명하라.
JFET 바이어스
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아트-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d)
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