|
배향막 형성방법
배향막의 필요성
액정을 기판에 도입하는 것으로는 균일한 분자배열을 얻기
어렵기 때문에 배향막을 반드시 도입해야 한다.
배향막 형성방법
기존 방법: 러빙법, 경사 증착법, 고분자 연신법
새로운 방법 : 광배향법, 이
|
|
|
LCD의 원리
<1>액정분자의 배열변화
(1) Homogeneous분자 배열
(2) Homeotropic분자 배열
(3) Pretilted분자 배열
(4) Hybrid 분자 배열
(5) Twisted 분자 배열
(6) planar분자 배열
(7) Focalconic분자 배열
<2>액정셀의 제조방법
<3>배향막
<4>배향
|
|
|
배향막을 형성하고, 배향막에 액정이 잘 정렬할 수 있도록 배향을 한 후, spacer를 산포하고 Seal 인쇄를 하여 합착한다. 합착 후에 모세관 현상을 이용하여 액정을 내부에 주입한 후, 주입구를 봉지함으로써 LCD 공정은 마무리가 된다.
1. 배향막
|
|
|
배향막 등 기판내면을 손상할 수 있기 때문에 분산에 세심한 주의가 필요하다.
8. TFT-LCD 연구
8.1. 최근 LCD기술
TN + Film 초기 TFT 제품에 사용되었으며, 주로 저가의 노트북 제품에 적용되고 있습니다. 공정이 비교적 간단하고, 높은 투과율과 빠
|
|
|
LCD Panel은 TFT-Array와 Color Filter기판으로 구성되어 주변부에 Driver IC를 포함한 구동회로부가 설치되어야 한다. 구동회로는 다층 PCB형태를 취하며 회로부품은 박형화와 고밀도화를 위하여 Surface mounting Technology(SMT)기술을 이용한다. Driver IC는Tape Ca
|
|
 |
배향 8
2.4 프리틸트각 10
2.5 OCB 액정기술 11
제 3 장 실험 12
3.1 셀 제작 12
3.1.1 세척 12 3.1.2 배향막 코팅 12
3.1.3 배이킹 12
3.1.4 러빙 13
3.1.5 셀 조합 13
3.1.6 액정 주입 13
3.2 프리틸트 측정 13
제 4 장 결과 및 고찰 15
4.1 프리
|
|
|
LCD에서 가장 주종을 이루는 방식이다.
단점으로는 장시간 정지화상 고정시의 잔상 문제와 타 방식에 비해 상대적으로 낮은 응답 속도이다.
VA
삼성의 VA 를 필두로Fujitsu(社)의 MVA 방식, IBM 산요사의 PVA 방식, 샤프의 ASV 방식 등이 있으며, ASV 방
|
|
|
막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다.
4) 국내에서의 태양전지 사업은 웨이퍼 생산을 포함한 대규모의 반도체 생산설비와 전문
|
|
 |
배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제에 대한 Risk 사항을 검토하고 개선하는 업무 또한 진행하였기 때문에 품질 Mind
|
|
메뉴펼치기
