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LDD(lightly doped drain) : LDD junction이 low energy와 low current ion implantation 에 의해 생성될 수 있다. 이것은 gate 바로 아래에 펼쳐진 낮은 농도의 불순물을 갖는 얇은 junction이다. 유전체 층을 두고 에칭한 후, polysilicon gate의 양쪽에 sidewall spacer을 만든다.
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ldd 에게
유용하다. ldd 에 다양한 스위치를 줌으로써 쉽게 세팅할 수 있다.
● LD_BIND_NOW
일반적으로 함수가 호출되기 전까지는 라이브러리에서 찾아보지 않는다. 이 플래
그를 세팅해주면 라이브러리 적재시에 모든 체크를 하게 되고 시작은 상
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0.18μm Tech를 위주로 공정을 설계하였습니다.
단위공정에 대해 공부를 한적이 있다면
알기쉽게 정리되어 있으며
STI, LDD,Poly Gate등 여러 기술들을 사용하였습니다. 1. 문턱전압을 조절하기 위한 이온주입양 설계
2.. 트렌지스터의 폭과 너
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ldd=false;
var best=0; dav=false; m1=0; m2=0; m3=0; m4=0; xazidoneze=10;
var qulebi=0; n1=0; n2=0; n3=0; n4=0; strt=false; gacherdi=false;
var i=0; j=0; l=0; shua=540; shuabiji=50; shuavardna=20;
var dro, dro2, shemdegi;
var qvebi = new Array();
var ferebi = new Array('white','magenta','red'
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Carrier Effect
34.LDD(Lightly Doped Drain) 공정
35.Narrow Channel Effect
36.Flat Band Voltage 와 Vth의 관계(Modified Work Function)
37.Gauss’s law
38.Ampere’s law
39.Faraday’s law
40.Ohm’s law
41.Continuity Equation
42.Poisson Equation
43.Laplace Equation 정의
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