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소자의 channel length를 줄이는데 있어서 소자의 성능을 저하시키게 된다는 점이다. hot carrier effect로 인해서 회로의 동작속도가 저하되므로 제대로 된 동작을 방해할 수 있게 된다. 그리고 액정디스플레이의 경우는 높은 구동전압을 인가하게 되
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파형의 주기가 T=1/60sec =16.7msec 임을 비교한다.
일반물리학실험레포트
-오실로스코프의 사용법- [1] 실 험 값
(2) 계산 및 결과없음.
(3) 결 론
(4) 토 의
오실로스코프의 사용법
1.목 적
2. 장치 및 기구
3. 이 론
4. 실험방법
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effect에 대한 설명
4. 관심분야에 대한 질문 → 반도체 중에 초고주파 소자 분야일 경우
HEMT란? (HEMT의 구조와 특성)
HEMT는 왜 초고속 동작을 하는가?
왜 GaAs와 같은 화합물 반도체가 고속으로 동작하는가?
GaAs가 Si 보다 carrier mobility가 큰 이유
[컴
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소자는 반도체의 다수캐리어의 이동도를 측정할때 많이 사용합니다.
이것은 움직이는 전하는 자기장으로 부터 힘을 받는 다는 원리를 이용한 겁니다.
일정한 크기의 반도체(반도체말고는 특별히 생각할 필요가 없음, 완벽한 도체는 홀현상이
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반도체와 비고유 반도체 4
1.7 N형 도핑 4
1.8 P형 도핑 5
1.9 운반자 농도 5
1.10 P-N 접합 5
1.11 반도체 재료의 순도와 물결성 6
1.12 로렌츠 힘 (Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9
Ⅲ. 응용분야 11
1.1 홀
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형성을 위한 공정 최적화
- 2D 반도체 기반의 유연 소자(Flexible Device) 및 저전력 소자 개발 가능성 검토
공정 및 소자 신뢰성 평가
- 나노스케일 소자의 열화 현상(Hot Carrier Effect, Bias Temperature Instability 등) 분석
- 소자 신뢰성을 높이기 위한 공정
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