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MOCVD 장치
MOCVD 장치는 다섯가지 부속장치인 reservoir, vapor delivery & mixed system, deposition chamber, pumping system, chemical scrubber system로 이루어진다. 박막의 조성과 증착속도는 반응기 내의 여러 가지 precursor의 분압과 박막이 증착되는 곳의 온도와 반응
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2. GaN
2.1. GaN의 특성
2.2. GaN 기질
2.3. GaN 성장에서 문제점
2.4. 단일 선구 물질을 사용한 MOCVD
Ⅲ. 실험 장치 및 방법
1. Undoped-GaN 에피층의 성장
2. Undoped-GaN 의 열처리
3. 분석 및 장비
Ⅳ. 예상 결과 및 토의
Ⅴ. Reference
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장치 기술경쟁력
박막형 태양전지 일괄 생산라인
세계 최고 효율 : 단접합 7.56%, 중접합 10.2%
세계 최고 생산성 /최저 비용 시스템
대한민국 10대 신기술 선정
4. 주성의 LED 제조장치 Gan MOCVD 기술경쟁력
- 세계 최고 생산성 : 경쟁사 대비 2~3
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MOCVD 공정을 이용한 강유전체 SBT 박막의 제조기술에 관한 연구 - 고려대학교 재료공학과
○ 위 논문을 읽고 참고하였는데 SBT 박막을 660～780℃까지를 40℃ 간격으로 열처리한 자료를 토대로 생각을 하면 780℃에서 가장 큰 강자성 이력곡선을 나
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장치 및 시약조사
Convection Oven, Thermal Evaporator, Glass Substrate, Beaker, Crucible, Shadow Mask
(시약)
Acetone
화학식 CH3COCH3이다. 분자량은 58.08으로, 향기가 있는 무색의 액체이다. 물에 잘 녹으며, 유기용매로서 다른 유기물질과도 잘 섞인다. 그래서 물로
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