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MOCVD의 특징
박막형성 반응에 사용되는 반응가스의 공급원이 유기금속전구체로 낮은 온도에서 공급원의 분압이 높고 분해가 잘되는 장점이 있으므로 박막 증착시 반응가스의 공급을 원활하게 할 수 있다
고순도로 정제된 공급원을 사용할
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MOCVD 장치
MOCVD 장치는 다섯가지 부속장치인 reservoir, vapor delivery & mixed system, deposition chamber, pumping system, chemical scrubber system로 이루어진다. 박막의 조성과 증착속도는 반응기 내의 여러 가지 precursor의 분압과 박막이 증착되는 곳의 온도와 반응
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려져 있다. 이와 같이 좋은 물질적 특성을 갖는 GaN는 MOCVD를 이용한 에피성장시 성장변수와 비평면 기판의 기하학적 특성을 조절하는 것에 의해 {1101} 면으로 구성되는 pyramid 형상의 날카로운 모양으로 성장이 가능하므로, 식각공정과 같은 후
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MOCVD 란?
Metal Organic Chemical Vapor Deposition의 약자로 “금속 유기 증착법”
유기 금속 증기를 열 분해 반응시켜 반도체 기판상에 금속 화합물을 증착 시키는 방법.
유기 금속 증기 – MO source를 이용.
주로 화합물 반도체 제조 시 널리
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도 grain의 크기가 변화는 것을 볼 수 있다.
③ AFM image을 보고 1, 2의 결과와 비교하시오. 표면 roughness 가 비저항에 미치는 영향을 설명하면서 쓰시오.
박막을 증착시킨 후 열처리 공정을 통하여 거친 박막의 표면을 관찰해 보면, 열처리 온도의
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