|
쓰이는지알아보기 위해자동인체 감지센서등을 구성해보게되었습니다. 0.동기
1.자동인체 감지 센서등의 기능
2. 블록다이어그램
3. 프로그램 예상 순서도
4. 부품의 센서부분
5. PIR센서에 사용되는 MOS FET칩
6. 설정값
7. 작동설명
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.10.07
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
MOS FET가 마이크로프로세서와 메모리칩과 같은 디지털 집적회로뿐만 아니라 아날로그 집적회로와 디지털과 아날로그 혼용 집적회로에도 널리 사용되고 있다. 전계효과 트랜지스터는 집적도가 높고, 제조 공정이 단순하며, 양극성 접합 트랜
|
- 페이지 6페이지
- 가격 4,200원
- 등록일 2012.09.27
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
FET) : 게이트 부분이 보통 트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라서 접합면에 생기는 공지층에 의하여 전류를 제어한다.
MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도
|
- 페이지 25페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2011.09.05
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
MOS-FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2010.06.21
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
e at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,300원
- 등록일 2008.01.12
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|