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2.반도체
3.N형 반도체와 P형 반도체
4.다이오드의 특성 곡선
5.제너다이오드에 의한 전압안정화
6.lithography기술
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P형반도체와 N형반도체의 두 가지 영역을 만든 것으로서 그 경계면(접합면) 부근에는 반송자가 존재하지 않는 층(공핍층)이 있다.
2. 동작
다이오드는 P형측이 N형측보다 높은 전위가 되도록 전압E를 가하면 P형의 다수 반송자(정공)는 전지의
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반도체로 만든 섬유 개발된다, KOTRA Ⅰ. 개요
Ⅱ. 전자공학의 발전
Ⅲ. 전자공학의 교과과정
1. 이론과 실무의 균형
2. 교과목의 표준화
3. 교과목의 다양성 제공
4. 적용 가능한 교과과정 제안
Ⅳ. 전자공학과 반도체
1. P형반도체
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P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전
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, 드레인(Drain : D), 게이트(Gate : G) 3개의 전극이 있다.
그림 (19) FET의 구조
① 접합형 FET
㉠ 소스와 드레인 2개의 전극을 가진 n형 반도체 안에 게이트 전극을 가진 p형 반도체를 형성해서 만들어진 것으로 소소와 드레인 사이의 전류가 n형 반도
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