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P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를 역방향 (reverse) 바이어스가 인가 되었다고 함
*추가관련이론
PN 접합 다이오드는 불순물을 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역
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게 걸어주면 특정 전압에서 항복전압이 생기게 되어 이 전압 이상으로 걸리지 않고 전류가 급격하게 늘어나 전류가 흐르게 되는데 이러한 특성을 이용하여 제너다이오드를 만들어사용한다.
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접합의 p형 반도체에 (+), n형 반도체에 (-)의 전압을 가함으로써 pn접합부의 공핍층 전압이 작아지고 전류가 증가한다.
-역방향 바이어스 : 다이오드에서 전류가 거의 흐르지 않는 방향으로 주어진 외부 전압. pn 접합의 n 반도체에 (+), p 반도
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접합 커패시턴스에 관련된 식
C\'= dQ\'/dVR
= {εsNaNd/2(Vbi + VR)(Na + Nd)}1/2
(∵dQ\'= eNddxn= eNddxp)
<균일하게 도핑된 pn 접합에 있어서 역방향 바이어스 전압의 변화에 따른 공간 전하 폭 변화>
3.3 일방 접합
1) 일방 접합이란?
: pn접합에서 p영역 혹은
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접합에서 가볍게 도핑되고, 매우 얇은 영역인 p형의 베이스 영역으로 쉽게 확산된다. 한편 해당 베이스 영역은 비록 정공이 다수 반송자이기는 하지만 그 밀도가 매우 낮다. 베이스 영역으로 유입된 아주 적은 양의 자유전자들은 베이스 영역
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