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실험방법
1. 테브난 등가회로
A. 그림 1-(b)처럼 회로를 연결한다.
B. A-B 단자 전압 VAB를 측정한다.
C. 그림 1-(c)처럼 회로를 연결한후, A-B 단자의 합성저항 RAB를 측정한다.
D. 그림 1-(e)처럼 회로를 연결한 후, 6Ω에 흐르는 전류를 측정한다.
E. 이론
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저항 값에 따라 분배가 된다. 또한 병렬회로에서는 전압이 일정하다는 것을 알 수 있었다. 1. 실험 목표
2. 이론 요약
1) 옴의 법칙
2) 다이오드 특성
3. 실험 결과
1) 직렬회로 측정
2) 병렬회로 측정
3) 옴의법칙
4. 분석 및 토의
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코일중심으로부터의 거리(Cm)
자기장(mT) 실험값자기장(mT)
이론값오차
자기장(mT)
이론값
오차
1회
2회
3회
4회
5회
평균
*이론값은 식 (3)에 의해 계산
4) 헬름홀쯔 코일
두 코일의 거리가 코일의 반경.(D=R=64mm)
비고
1회
2회
3회
평균
측정거리
(mm)
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저항은 0[Ω]에 가깝다. 때문에 회로에 잘못 접촉시키면
과전류가 흘러 기기가 손상된다. 따라서 전류 측정 시에는 반드시 회로를 open한 후 멀티미터가
회로에 직렬로 연결되도록 프로브를 연결해야 한다.
1.4 실험
1.4.1 컬러코드 연습
(1) [표 1-2]
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13.9>의 회로를 구성하고, 다음의 지점에서 파형을 관찰하여 파형을 도시하라.
(1) 4001 핀 1
(2) 4001 핀 3
(3) 4050 핀 2
(4) 7406 핀 4
※ 실험 (5), (6) 번은 시뮬레이션을 돌리지 못하였습니다. 죄송합니다. 실험목적
실험준비물
예비과제
실험
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실험 / 김영일 외 3인 / 기전연구사
◇ 기초 전기·전자공학 / 김종수 외 5인 / 청문각
◇ http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
R = 100Ω , L= 30mH , C = 2.2㎌ , V = 5V 인 직렬공진 회로의 시뮬이션 결과를 보면 공진 주파수
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회로에서 가변저항기는 출력전압의 어떤 것을 클리핑하기 위해 사용하는가?
(a) (+) 최대값 (b) (-) 최대값 (c) (+) 최대값과 (-) 최대값
⇒ 다이오드의 순방향바이어스 시 채널 2에서의 측정된 전압값은 다이오드의 전압에 가변저항의 전압을 더한
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회로와 마찬가지로
{V}_{R}>>{V}_{o}
의 조건이 충족되어야 한다, 즉 이 조건을 충족시키기 위해서는 큰 용량의 커패시터(용량성 리액턴스와 커패시터의 용량은 반비례관계에 있으므로)와 큰 값의 저항을 사용하면 된다.
4. 실험 방법. 및 회
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L과 C값을 선택한 경우.
그림 5-2-1
위의 결과를 토대로 그림 5-2-1과 같이 회로도 구성 후 pspice를 이용한 simuration.
그림 5-2-2
그림 5-2-2를 통해서 저항 R에서 발산하는 에너지를 나타내었다. 그래프를 보면 t=0ms 일 때 24 에서 t=90ms일 때 0 까지 거의
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c)에서와 같이 고리의 단면에 수직한 선이 자기장 B와 각도 θ를 이룰 때 고리 면을 지나는 자기 플럭스는
이고 고리가 일정한 각속도 ω로 돌고 있을 때 시간 t에서의 고리의 방향각 θ는
라고 할 수 있으므로, 1. 실험 목적
2. 실험 원리
3
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