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mA
14.92 mA
18.81 mA
100
15.37 mA
0.129 V
119.15
11.45 mA
14.92 mA
18.807 mA
150
15.36 mA
0.132 V
116.36
11.46 mA
14.93 mA
18.821 mA 1.실험목적
2.실험이론
(1) R-L 직렬회로
(2) R-C 직렬회로
3. 사용기기 및 부품
(1) 기기
(2) 부품
4. 실험방법 및 순서
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회로망에서 인덕터의 작용과 정상상태의 같은 직류 회로망에서 인덕터와 캐퍼시터의 특성에 직접 확인해보았다. 또 R-L 회로망에서 전압과 전류의 관계식( ) 대해서 실험을 통해서 알아보았다.
직렬 연결된 R-L 회로망에서 각각의 전압 및 전류
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따라 전류의 크기가 바뀌고 또한 이에 따라 전압의 형태 또한 바뀐다. 이번 실험을 통해서 이러한 교류의 특성을 이해하고, 그 교류 전압의 최대값을 구하는 방법을 알 수 있었다. 1.측정값
2.실험결과
3.질문 및 토의
4.결론 및 검토
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비저항 측정
4. R-L-C회로측정
5. 반도체다이오드의 특성
6. 트랜지스터의 특성
7. 빛의 반사와 굴절법칙
8. 이중슬릿의 간섭과 회절
9. 광전효과에 의한 Planck상수 측정
10. 2008년 2학기 한양대학교 일반물리실험 기말고사 시험지
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특성을 알 수 있다.
3.R-L-C 직렬회로의 자연 응답
-이상적인 저항, 인덕터 및 커패시터를 직렬로 접속한 회로의 자연응답을 알아본다.
<중 략>
처음에 시도한 100옴, 200옴의 경우 오차율이 다른 실험에 비해 컸는데, 그 이유에 대해서는
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