|
전압이 15V가 나오게 전원 전압을 16.8V로 만든 이후에 실험을 하였다. 표 4-4에서 오차를 살펴보면 과정②와 과정④ 에서 0%부터2.38%까지 나타나는데 크기가 그렇게 크지는 않게 나왔다. 그리고 단순한 직렬회로 보다는 직렬회로와 병렬회로가
|
|
|
(2) 높은 Q 의 RLC 병렬 회로란 무엇인지 설명하시오.
Q의 식을 살펴보면 Q가 크다는 것은 X가 크거나 R이 매우 작다는 것을 의미하는데 이것은 X성분인 L이나C에는 이상적인 모델의 값이 아닐 때는 R성분이 있다고 보는데 Q가 높아진다는 것은 다
|
|
|
회로를 구성한다.
전원전압을 10V로 한다. 두 단자 a와 b사이의 전압 Vab를 측정하고 이론치와 비교분석한다.
측 정 치
이론치
오 차
1
2
3
4
5
평 균
Vab
3.169
3.170
3.169
3.168
3.169
3.169
3.411
-0.242
▲ 이론치
▲ 오차의 원인은 도선과 멀티미터, power supply
|
|
|
회로를 구성한다.
전원전압을 10V로 한다. 두 단자 a와 b사이의 전압 Vab를 측정하고 이론치와 비교분석한다.
측 정 치
이론치
비 고
1
2
3
4
5
평 균
Vab
▲multimeter에 흐르는 전류 I는 Vab/Rm이 된다.
3) 다음과 같이 multimeter에 병렬로 dexade resistance box
|
|
|
전압(PIV)값이 이론상 두 데이터가 같게 나와야하지만, 그 값이 조금 차이가 남을 볼 수 있다.
결과 3-10 전압분배 바이어스 회로
실험 목적
전압 분배 바이어스 회로를 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
2. 전압분배 바이어스 회로(베이
|
|
|
1. 실험 목적
1) 회로의 분석에 사용되는 테브난과 노턴의 정리를 이해하고 응용하는 능력을 키운다.
2) 테브난 실험 회로도를 설계하여 전압원과 전류원의 등가회로를 구한다.
2. 실험용 기기 및 부품
1) 디지털 멀티미터
2) 브레드보드
3)
|
|
|
전압 V(t)0 그래프
3) Excel로 그린 전류파형 L에서의 i(t) 그래프
4. 시뮬레이션 프로그램 회로도(A)
위의 회로도는 지금까지 해석한 회로도와 같은 결과 값을 주는 회로도이다.
위의 회로도는 PSpice 상에 반복 스위치가 없기에 임의로 Close와 Open
스
|
|
|
산결과의 소자를 이용하여 회로를 구성하고, R3의 전압을 측정한다.
- 측정값을 표10-2에 기록한다.
실험1
실험2
5. 혼합회로의 저항값 구하기
전압 : 5V , R1=470Ω, R2=230Ω, R3=230Ω
V₁=3.35V V₂,V₃=1.65V
전압 : 5V , R1=230Ω, R2=470Ω, R3=330Ω,
R4=330Ω
V일정하
|
|
|
따라서 그라운드에서 노드 2, 즉 = 7.5V의 전압이 걸린다.
2. 위의 회로에서 과 에 Power Supply를 연결하여 1의 결과와 비교해 보자. 이 때, Power Supply의 전압을 10V와 5V로 맞추어 놓는다.
먼저 파워서플라이로 10V와 5V를 인가를 하고 브레드 보드에 저
|
|
|
회로에 변동이 심해도 비교적 변화가 작다. 그러므로 정밀한 값을 얻기 위해서는 민감하게 변하는 의 값을 이용하여 푸는 것이 오차를 덜 발생시킬 수 있다.
2.3 전압강하를 측정할 경우 접지에 대하여 측정하는 방법이 좋은 전압측정 기법이
|
|
메뉴펼치기
