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C=47μF, =1kΩ
C=47μF, =2.2kΩ
C=100μF, =1kΩ
C=100μF, =2.2kΩ
C, 값
출력피크전압
최대 방전 값
차이
리플의 크기 (이론값)
C=47μF, 1kΩ
7.7788V
5.7368V
2.0420V
2.7584V
C=47μF, 2.2kΩ
7.7911V
6.7629V
1.0282V
1.2558V
C=100μF, 1kΩ
7.7513V
6.8395V
0.9118V
1.2918V
C=100μF, 2.2kΩ
7.7486V
7.2636
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출력전압 V(t)0 그래프
3) Excel로 그린 전류파형 L에서의 i(t) 그래프
4. 시뮬레이션 프로그램 회로도(A)
위의 회로도는 지금까지 해석한 회로도와 같은 결과 값을 주는 회로도이다.
위의 회로도는 PSpice 상에 반복 스위치가 없기에 임의로 Close와 Ope
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이오드는 항상 양(+)과 음(-)의 반주기 동안 모두 부하저항과 직렬 상태에 있게된다.
(b) 실제 다이오드의 경우(다이오드 전압강하 고려함)
그러므로, 다이오드의 전압강하를 고려하면 출력전압은 다음과 같다.
피크 역방향 전압(PIV)
D1과 D2가 순
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출력을 비교하라. C1을 0.1nF로 바꾸고 반복하라.
0.1uF
0.1nF
⇒ 정현파의 입력 신호를 인가한 결과, 처음 양의 값에서 피크 값까지는 출력 전압도 따서 증가하였고, 피크 점을 지난 후부터는 계속 피크 값으로 일정한 전압 값이 나왔다. 커패시터
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출력파형
CH 1
CH 2
파라미터
Vin (입력)
Vout (출력)
VOLT/DIV (피크 대 피크)
1.08V
1.04V
TIME/DIV (주기)
1.004ms
1ms
③ 부하저항 RL의 값을 변화시키면서 Vin과 Vout의 파형을 측정하여 기록한다.
Vin
Vout
측정이득
계산이득
% 에러
RL = 100Ω
1.18V
1.12V
0.949
0.968
1.96
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