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파수는 이다.
최저모드는 이고 이다.
고차모드는 기본모드인 TE10이외에 TE20,TE01,TE11(=TM11)이 있다.
3. Substrate integrated waveguide의 장점(Rectangular waveguide)
SIW는 근사적으로 RWG를 근사한 것이다. 도파관은 고전력 및 저손실을 장점을 갖고 있다. 도파
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Substrate Integrated Waveguide)이 제안되었다. 기판집적도파관은 기존의 Rectangular waveguide와 기본 모드는 같으면서 기존의 Rectanglar waveguide 보다 크기가 작고, 가벼우며 다른 전송선로와의 통합이 쉬운 장점을 가지고 있다. 기판집적도파관의 구조는
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반사계수를 증가시키지만 전체적으로는 S11의 반사계수가 더 많이 줄어듬으로써 더 나은 매칭 결과를 얻을 수 있다. 1.설계문제
2.시뮬레이션 사진그림
3.rectangular.hfssresults
4.SIW.hfssresults
5.설계발표
6.초고주프로젝트최종보고서
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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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향후 추진 방향
Module 계획
- Mode converter의 설계 결과 개선
- Ceramic substrate 설계 및 제작
- Mixer Waveguide Module 제작 및 시험
MMIC Mixer 설계
Diode 성능평가, balun 설계 및 평가
MMIC Mixer 설계 및 제작 1.40GHz Waveguide Mixer Module 설계계획
-WG
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