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temperature Solder for Mounting Power Semiconductor Devices\". Research Report , Mar (2006).
2. Ueda,H.,et al : \"High Current Operation of GaN Power HEMTS\", Proc. of 17th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & IC\'s (2005), 311.
3. Asano,K., et al : \"Temperature Dependence of Onstate Charact
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Temperature Measurement Accessory
HT10X Heat Transfer Service Unit
B. 실험방법
i. HT16 Radiation Errors in Temperature Measurement Accessory를 HT10X옆에 위치한다.
ii. 가열된 Cylinder에 연결된 열전기쌍을 HT10X Heat Transfer Service Unit 의 T10 Socket에 연결한다
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Temperature controller Fig. 28 누전차단기
Fig. 29 Power 공급장치 Fig. 30 Thermocouple
2) 온도 측정 및 제어장치의 회로도
Fig. 31 온도 측정 및 제어장치의 회로도
온도 측정 및 제어장치는 Power 공급장치, Temperature controller 그리고 누전차단기로 구성되어
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Temperature - Programmed Oxidation) 또한 앞에서 설명한 TPR과 비슷하게 사용되는데 촉매 등 고체 물질의 산화도를 조사하는 실험적 방법이다. 산화가스(주로 Oxygen) 안에서 일정속도로 승온시키고 그에 따른 산화가스의 감소를 측정함으로써 시료의 산
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Temperature (Tg)
온도가 올라감에 따라 pan은 흡열을 한다 그런데 어느 온도에서 Fig 와 같이 heat flow가 변화하는 부분이 있다. 이때의 온도를Glass Transition Temperature 라고 한다.
이 온도는 heat flow가 변화하기 시작하는 온도와 변화가 끝나는 온도의 중
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