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의 두께와 B의 관계
---①
---②
①-②
nearly equal to
우리의 실험에서 TiN 박막의 두께는 580nm로써 이에 따른 B의 값은 다음과 같다.
TiN
rad()
degree()
35.3(111)
2.788
0.0160
40.99(200)
2.836
0.0162
59.36(220)
2.922
0.0167
74.667(222)
3.338
0.0191
5. 실험 결과
원자 당 이온
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박막 불순물을 확인하시오. 이후 열처리에 따른 불순물 거동이 어떻게 될지 예측하여 설명하시오.
Sputter
↓ ↓ ↓
← 불순물(C,O)
← TiN증착면에 불순물이
달러붙어 있다.
Co
TiN
Si
위의 그래프를 보면 증착된 Co에서 Si까지 Sputter시간에 따른 깊이
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박막 및 그 제조방법
- MOD법에 의한 ITO 투명전도성 박막의 제조
- 화학기상증착법에 의한 ＩＴＯ박막 제조방법
- 원자층 증착법에 의한 ITO 박막 제조방법 및 인듐 박막 제조방법
- 표면 개질된 인듐 주석 산화물층 및 유기 전계 발광
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교환한 경우
3장ICP를 이용한 TiN,(Ti, Al)N, (Ti, Cr)N 박막의 제조
1유도결합플라즈마를 이용한 TiN 박막의 미세 조직 제어
2ICP Sputting으로 제조한 TiNvl막의 경로와 접착력
3ICP Sputtering으로 제조한 TiN 피막의 마모 특성 비교
< 참 고 >
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Tin(II) 2-Ethylhexanoate and Zinc(II)
2-Ethyl hexanoate / Chem. Mater / Mauro Epifani 등 6명 / 2005년/ p.6470
⑧전자재료/ 누리교과목 개발 / 김의정 / 2006 / p.46
⑨http://www.labbank.co.kr (환경용어사전)
⑩졸-겔법과 기계화학적공정(MCP)를 이용한 단 분산 ZnO 나노입자 제조
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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