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1. 실험목적
● TR의 β를 측정하는 방법을 익히고 Datasheet와 실제값 비교하기
● 세 가지 configuration(Fixed-bias, Emitter-bias, Voltage divider bias)별로, 동작점(Q-point, Dc Bias)이 TR의 β의 변화에 대해 얼마나 영향을 받는지(민감도/둔감도)를 살펴보
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Fixed-Bias를 이용하여 β값 구하기
≪ 그 림 ≫
≪ 표 - 그림 파일 ≫
실험결과분석 : Fixed-bais 회로를 이용하여 구한 β값은 197.4174의 값이였다.
β=I_c/I_b 로 구할 수 있으며 이 β는 앞으로의 내용에서도 쓰일 것이다
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bias를 걸어주고 annealing한 경우 mobile charge는 거의 oxide-silicon 계면에 있으므로
DELTA V_G =- { Q_M} over {C_ox }
가 된다. 따라서
DELTA V_FB =- { Q_M} over {C_ox }
에서 mobile charge의 총량인
Q_M
을 구할 수 있다.
⑤ Fixed charge
Fixed charge는 C-V curve를 좌우로 평
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회로
가장 간단한 구조 - 설계가 용이하나, 안정도가 매우 떨어진다.Bias 회로 설계에 필요한 식은
1.2.2. Feedback bias 회로Fixed bias의 단점인 불안정성을 보완하기 위하여 콜렉터와 베이스간에 궤환을 걸어 사용하고 있다.DC해석을 하면
그러므로
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실험 1에서는 왼쪽에 제시된 fixed bias 회로를 이용하여, R1, R2 값을 정한 후 각각에 걸리는 전압을 측정하고, 저항 값을 알기 때문에 각각에 흐르는 전류 값을 계산해낼 수 있다. TR의 BASE와 COLLECTOR에 흐르는 전류의 크기를 각각 I_(B ,) Ic 라고 하
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