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C-V curve에 영향을 미치는 인자들
1.3.3 Deep depletion
2. Non-ideal MOS capacitors
2.1 Metal-semiconductor workfunction difference
2.2 Oxide charge
2.2.1 General information
2.2.2 Mobile ions
2.2.3 Fixed charge
2.2.4 Interfacial traps
2.2.5 Oxide trapped charge
3. C-V meas
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없을 때를 total deep depletion Ⅰ. C-V Introduction
Ⅱ. I-V measurement
1. Introduction
2. Metal-Insulator contacts
3. Image-force effect
4. Conduction mechanism
(1) Electrode-limited current
(2) Bulk-limited current
5. 실제 Data
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c-V 특성 곡선을 관찰한다.
4C-V 측정
1.샘플을 측정대에 고정시키고 probe로 게이트를 샘플에 접촉시킨다
2.BLP Folder (ENTER)
3.BASIC.EXE 실행 (ENTER)
4.F5(LOAD)을 실행 LOAD"PNCV"(ENTER)
5.F3(RUN)을 실행 INPUT FILE NAME? FILE name .dat (ENTER)
6.측정하고 싶은 값을 넣는
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C-V 그래프
※ 이상적인 Mos capacitor의 C-V 곡선
data를 통해서 각 두께에서의 유전 상수를 구할 수 있다.(의 유전 상수 3.9)
① 100A
= 3.66
② 200A
= 6.98
③ 300A
= 1.86
그래프와 각각의 유전상수를 구해본 결과 300A에서는 capacitor로서의 기능을 하지 않는다
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Purpose of the Experiment
Understanding the principle and characteristics of the MOS Capacitor
C-V, I-V analysis in accordance with the thickness of the Al2O3 insulator
Insulator thickness (6nm, 12nm, 18nm)
Experimental Background
MOS Capacitor
MOS Capacitor structure
MOS Capacitor pri
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