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c-V 특성 곡선을 관찰한다.
4C-V 측정
1.샘플을 측정대에 고정시키고 probe로 게이트를 샘플에 접촉시킨다
2.BLP Folder (ENTER)
3.BASIC.EXE 실행 (ENTER)
4.F5(LOAD)을 실행 LOAD"PNCV"(ENTER)
5.F3(RUN)을 실행 INPUT FILE NAME? FILE name .dat (ENTER)
6.측정하고 싶은 값을 넣는
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C-V 그래프
※ 이상적인 Mos capacitor의 C-V 곡선
data를 통해서 각 두께에서의 유전 상수를 구할 수 있다.(의 유전 상수 3.9)
① 100A
= 3.66
② 200A
= 6.98
③ 300A
= 1.86
그래프와 각각의 유전상수를 구해본 결과 300A에서는 capacitor로서의 기능을 하지 않는다
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Purpose of the Experiment
Understanding the principle and characteristics of the MOS Capacitor
C-V, I-V analysis in accordance with the thickness of the Al2O3 insulator
Insulator thickness (6nm, 12nm, 18nm)
Experimental Background
MOS Capacitor
MOS Capacitor structure
MOS Capacitor pri
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MOS capacitance vs.
그러나 이 방법은 반도체의 두께가 최대 depletion width보다 작을 경우는 유용하지 않다. 이 때는 MOS flat band capacitance를 측정하여 최대 depletion width를 구할 수 있다. Flat band capacitance는 C-V curve에서
C/C_o =0.95
인 지점에서 1V만큼 이
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존재할 수 있는 확률은 전자가 투 과하는 장벽의 폭(MOS에서는 산화층의 두께)에 영향을 받는다. 따라서 전자는 삼각형 장벽대신 사 다리꼴 모양의 포텐셜장벽을 통과하여 지나간다.
◆Fowler Nordheim Tunneling (FN Tunneling)
직접터널링과 유사한 파
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