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c-V 특성 곡선을 관찰한다.
4C-V 측정
1.샘플을 측정대에 고정시키고 probe로 게이트를 샘플에 접촉시킨다
2.BLP Folder (ENTER)
3.BASIC.EXE 실행 (ENTER)
4.F5(LOAD)을 실행 LOAD"PNCV"(ENTER)
5.F3(RUN)을 실행 INPUT FILE NAME? FILE name .dat (ENTER)
6.측정하고 싶은 값을 넣는
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C-V 측정으로써 알아볼 수 있고, 이러한 조건으로 소자를 만든다면 전기적으로 우수한 이상적인 MOS Capacitor를 제조할 수 있다. 1. 실험목적-------------------2
2. 관련이론-------------------2
3. 실험방법-------------------3
4. 실험결과----------------
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측정된다. MOS 커패시터에는 세가지 중요한 동작상태 즉 축적, 공핍, 반전이 있다. 일반적으로 고주파는 1MHz 정도이고 저주파는 5에서 100Hz의 범위에 있다. 절연막 두께, 기판농도 및 VT와 같은 MOS 소자의 다양한 변수가 C-V 특성으로부터 얻어진
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9.25us가 측정되었다. 오차는 7.5%였다. 오차의 원인은 도선과, FG의 내부저항 등으로 생각된다.
2.4 FG, 저항, 커패시터의 순서로 연결하고 저항의 양단에 scope의 단자를 연결하였을 때의 파형을 측정하고 스케치하라. 왜 이러한 파형이 나타나는가
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측정하는 법을 처음에는 알지 못하여 힘들었지만 교수님의 설명을 들은 후 그 설명에 맞게 가변저항을 측정해 보니 그 사용 방법과 측정 방법에 대해 쉽게 알 수 있었다. 즉 3개의 핀 중에서 가장 먼 거리에 있는 핀(예를 들면 왼쪽에서 순서대
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측정하였다.
그림 35. 입력전압 1
그림 36. 입력전압 2
그림 37. DLL의 동기화 된 파형
9. 결론
DLL은 마이크로프로세서 및 메모리 인터페이스 등과 같은 여러 응용분야에서 필수적으로 사용되고 있다. DLL은 칩간의 통신에서 클럭의 동기화 및 cloc
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