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실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측
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노멀리 온형 (normally on type) : 게이트 전압을 걸지 않을 때 채널이 존재해서 드레인 전류가 흐르는 것이다.
(enhancement type) (depletion type)
증가형 공핍형 1. PMOS와 NMOS의 차이점
2. Poly-gate와 Metal-gate의 차이점.
3. Enhancement와 Depletion의 차이점.
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14장 NMOS 증폭기
1. 목적
NMOS 트랜지스터를 이용한 공통-소스 증폭기, 공통-게이트 증폭기, 그리고 공통-드레인 증폭기(소스 플로워)의 입력저항, 전압 이득, 그리고 출력 저항을 실험을 통해 주한다.
2.피스파이스 실험결과
3.OSC 실험 결과
※위
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연체-반도체 계면에 모이게 된다. 이를 반전이라고 한다.
(6) 산화막과 기판 사의의 표면상태(surface state), 산화막 내의 전하를 알아보려면 C-V를 측정함으로서 알 수 있다. C-V 측정에 대해서 간단히 논하여 보아라.
커패시터에 대해서 알아보면
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167
0.190
0.209
0.232
0.243
0.192
전체 K 값의 평균 : 0.202
B. NMOS의 I-V 특성 곡선
- VGS = 5V
- VGS = 7V
위의 결과와 ,
식을 통해서 각각의 파라미터들을
구할 수 있고 그 결과는 다음과 같다.
VGS = 5V
0.01293
1.131222
VGS = 7V
0.007075
1.039501
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NMOS 쪽에는 DOWN신호를 인가하여 위상간의 차이를 전하펌프에서 전류의 크기로 바꾸어 전하펌프로 전달되도록 설계하였다.
자세한 동작을 살펴보면 먼저 전하펌프 루프필터의 출력으로 발생하는 제어전압은 Delay cell의 PMOS의 게이트에 입력된
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NMos과 pmos의 차이점은 무엇인가?
17
맥스웰 방정식에 대해서 말해보시오.
18
전공하고 안맞는데 왜 이직무 지원했는지?
19
본인이 진행한 CVD 장비에 대해 설명해보라.
20
입사 후 어떤 엔지니어가 될 것인가?
21
회사에서 하고싶은 일이 뭔지?
22
Ole
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17
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Ole
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