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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
- Furnace system
-실험방법
-실험결
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공정기술』,2006 1. 실험목적
2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)
3. 실험방법
4. 실험결
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산화공정(Oxidation)
1. 실험 이론
1.1 실험 목표
실리콘이 직접회로에 많이 사용되는 중요한 이유 중의 하나는 훌륭한 산화증(oxide) SiO₂를 형성할 수 있다는 것이다. 이 산화층은 절연체로서 MPSFET와 같은 소자 및 소자들 간의 영역에 사용된다. SiO
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산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다
▶산화공정은 습식산화와 건식산화가 있
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