산화공정 실험보고서

목차

1. 실험목적

2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)

3. 실험방법

4. 실험결과
● 데이터 분석표
⑴ 1h
⑵ 2h
⑶ 4h

5. 고찰

6. 참고문헌

본문내용

웨이퍼의 표면이 매끄럽지 못하고 이물질이 껴있고 전기전도도 잘 되지 않는다면 반도체로서 특성을 잃어버릴 수 있다. 반도체의 기초적인 지식을 공부할 수 있었던 시간이였고 처음 보는 장치들도 또 새롭게 알게되었다. AFM의 놀라운 성능에 감탄했다. 정말 수 나노의 길이를 정밀하게 재고 데이터화가 어떻게 가능한지 궁금했다. 그 좋은 기계 덕분에 실험 데이터는 거의 고르게 나왔다. 진공에서 하는 실험이 아니기 때문에 먼지 한 톨 잘못 들어가게 되면 크게 오차가 날 수 있다. 성능이 좋은 반도체를 만들기 위해서는 Cleaning을 소홀히 해서는 안될 것이다. 먼지도 없고 아무런 영향을 받지 않고 깨끗한 반도체를 만들기 좋은 환경은 진공이지만 현실적으로 진공에서 실험하기에는 무리가 있다. 그러나 그것을 위한 노력은 할 수 있다. 화학가스의 유입과 공정실에서 웨이퍼로의 접근에 대한 반응을 조절해야하고, 부적합한 습기와 공기, 생산과정에서 생긴 반응물을 완벽하게 제거할 수 있어야 한다. 삼성에서 만드는 반도체는 이를 모두 통제하고 제어한 상태에서 만들었을 것이다.
6. 참고문헌
Michael Quirk · Julian Serda, 『반도체 소자 공정기술』,2006

키워드

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