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C-V Introduction
Ideal MOS Capacitor
구조
특징
Gate는 두꺼워서 언제나 등전위 영역
Oxide는 perfect Insulator
Oxide 내에서나 S/C-Oxide 계면에서 charge center 없다.
S/C는 uniform doping
S/C는 충분히 두꺼워서 gate potential을 가하든지 아니든지
bulk는 field-f
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표준화 동향
2.1.1. ISO/TC229/JWG1 (용어 및 분류, Nomenclature)
2.1.2. ISO/TC229/JWG2 (측정 및 특성평가, Measurement and Characterization)
2.1.3. ISO/TC229/WG3 (환경, 보건, 안전, EHS)
2.1.4. ISO/TC 229/WG4 (나노물질의 사양,Specification)
2.2. 국내 표준화 동향
3. 결론
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그래프를 얻었으면 그 데이터들은 각각 저장시킨다.
도트 면적을 현미경으로 관찰한 후 여러번 측정하여 각각 기록해 놓는다.
이것으로 실험 과정을 종료한다. 1. 실험 목적
2. 관련 지식
4.실험결과
♣ 고 찰
3. 실험 방법
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특성을 비교하면 표 3과 같다. 기능상 NOR형 Flash EEPROM의 장점은 프로그램과 판독방법이 기존의 EPROM과 같다는 점이다. NAND형 Flash EEPROM은 랜덤 엑세스 속도가 10μsec로 느린 반면에 페이지 버퍼를 이용한 시리얼 엑세스로 속도를 단축할 수 있다.
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특성
2.2. 촉매량
2.3. 도핑 및 복합산화물
2.4. 광의 세기 및 파장
2.5. pH
2.6. 온도
2.7. 용존산소
2.8. 유기물의 종류와 초기 농도
2.9. 탁도
2.10. 무기이온
2.11. 중금속과 귀금속
제3장 개발대
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