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따라서, 이론상의 내용과 실험적 오차가 발생함.
소감
Capacitor와 저항이 직렬로 연결된 회로에서 시간별로 감소하는 전압을 측정하는 실험.
기기사용에 익숙하지 않아 실험이 조금 어려웠음. 결과값
계산과정
그래프
오차원인
토의
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여할 것이며, 나아가 신호 처리나 통신 시스템의 성능 개선에 중요한 기초 자료로 활용될 수 있다. 향후 프로젝트에는 컴퓨터 시뮬레이션을 통한 회로 모델링과 더불어 실험적 데이터를 비교 분석하여 이론과 실제의 간극을 줄이는 것도 포함
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3.54
15.2
3.44
15.3
3.54
15.3
3.44
실험3. LC 공진회로 (Band pass filter)
R
(KHz)
(mV)
(mV)
(KHz)
Q-factor
1㏀
4.93
540
380
2.22
500Ω
4.93
920
650.5
2.311
200Ω
4.93
1750
1237.4
2.417
Bandpass filter의 Q-factor를 실험을 통해 구하고 식을 통해 얻은 이론값과 비교 해본 결과 큰 차이를
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RC회로의 저항으로 사용하여 β와 의 값을 변화시켜 의 시정수를 변화시키는 것이다. 이때 이 시정수를 조심스럽게 측정함으로서 에 미치는 영향을 결정할 수 있다.
3. 실험 부품 및 기기
전자실험기(ED-2100) : NO-2101
1대
전압계(VOM)
1대
Oscilloscope
1
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습을 보였다. 그 이유는 무엇인가 생각해보았다. 유전체는 축전기 사이에 채워진 부도체이다. 이러한 유전체는 도체 판 사이의 전위차에 대한 최대 허용치를 크게 하는 기능을 하는데, 이는 전기장 사이에서 유전파괴를 일으켜 더 많은 전하
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그림2-4] 커패시턴스 C회로
[그림2-4]와 같이 커패시턴스 C에 전류 i(t)가 흐를 때 C에 단에 생기는 전압 v(t)는 다음과 같다.
이므로 적분공식을 이용하여 Laplace Transform하면
여기서, 는 초기전하에 의해 생긴 커패시턴스의 초기전압이다. 초기값은
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efine T 0.001
#define PI 3.141592
#define B 1000
#define lenth_a 400
#define lenth_b 200
void main()
{
int t,n;
float x[lenth_a+1];
float y[lenth_a+1];
float ht[lenth_b+1];
float htt[lenth_b+1];
float t1;
FILE *fx;
fx = fopen("insignal.txt","w");
for(t=0;t<=lenth_a;t++)
{
if (t<=((lenth_a)/2)
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0kHz, 50kHz에 대한 CR 회로의 입력 및 출력 파형을 동시에 관측하고 도시하여라. 또한 측정시의 손잡이의 상태를 명시하라.
③ 회로를 구성하고 그림의 CR회로에 대해서도 RC회로와 같은 방법으로 측정하여 도시하여라. 단, 입력 전압의 기준선(0V)
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72
176
269
226.31
-27.36
1.5 mA
0.298
0.106
0.260
0.398
198.6
70.6
173.3
265.3
223.63
-27.33
2.0 mA
0.397
0.140
0.344
0.528
198.5
70
172
264
223.17
-27.20
⑤ Discussion
이번 실험은 RL회로, RC회로, RLC회로를 만들어서 각각 전류를 흐르게 했을 때 저항 인덕터, 축전기에 흐르는 전압
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회로에 커패시터나 인덕터가 포함되어 있으면 이 회로는 미분방정식으로 표현된다. 예를 들어 그림과 같이 저항 1개와 커패시터 1개로 이루어진 회로를 고려해 본다.
그림의 RC회로에서 aG사이의 입력전압 를 라 하고 b와 G사이의 전압 를 라 하
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