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소결 온도에 따른 주석의 물성 변화에 대해서 분석 해 보았다. 주석의 소결 온도를 실험변인으로 두고 실험 해본 결과 최적의 소결 온도는 100℃~150℃가 적당하다고 결론지을 수 있었다. 200℃ 이상의 온도 에서는 밀도와 경도가 급감하게 되어
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소결 온도가 밀도와 치수에 미치는 영향/조주현, 이민철, 전만수, 권영삼, 정성택 /금형저널 통권 272호 (2007년 8월) pp.71-76 /한국산업정보센타 /2007
2) Condensed Matter Physics/FK3004/Ashcroft & Merimin/2009/p86-93
3) 경도 분석 프로그램 HARDNESS-PRO/금강기기/최
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소결 시간
비례
반비례
비례
소결 온도
비례
비례
비례
입자 크기
반비례
반비례
비례
2. 참고 자료 Ⅰ. 서론
1. 실험 목표
2. 전반적인 배경 이론
3. 시료 제작 방법 및 실험 순서
Ⅱ. 본론
1. 밀도 분석
가. 실험 방법
나. 실험 결과
2.
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소결시킨 시편의 미세구조……………… 10쪽
<그림 12> 150도에서 소결시킨 시편의 미세구조……………… 10쪽
<그림 13> 200도에서 소결시킨 시편의 미세구조……………… 10쪽
<그림 14> XRD의 원리 ……………… 11쪽
<그림 15> 주석(Sn)의 XRD 회
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물성공학, 신성, 1996
③ Kenji Uchino 저, 압전전왜세라믹스, 반도출판사, 1991, pp.10～39
④ 박창엽 저, 압전세라믹스, 생능, 1992, pp.11～23
⑤ http://knut.kumoh.ac.kr\\ 1.서론
1-1 실험제목
1-2 실험목적
1-3 실험이론
1) 개요
2) 압전세라믹스
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Sn-40Bi alloy obtained using EPMA
Fig. 10. Element mapping image
in the Sn-40Bi-0.5Ag alloy obtained using EPMA
Fig. 11. Element mapping image
in the Sn-40Bi-0.2Mn alloy obtained using EPMA
Fig. 12. Element mapping image
in the Sn-40Bi-0.1Cu alloy obtained using EPMA
Fig. 13. Element mapping imag
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온도 (Tcc)와 용융결정화온도 (Tmc)는 증가하였으나 용융온도 (Tm)에는 변화가 없었다. HS 함량이 32%인 시료들의 경우 PTMEG의 Tm이 HS 함량 23%인 시료들보다 4°C 정도 높은 온도에서 나타났으며 Tcc는 관찰되지 않았다. SAXS 분석결과 PU-Si 필름의 HS 함
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물성치
4. 실험장치 설계 및 방법
4-1 실험장치 이론 및 설계
4-2. 실험장치 사진
4-3 실험방법
5. 실험결과
5-1 나노유체의 온도변화 그래프
5-2 나노유체 체적비별 열전도도
5-3 나노입자 종류별 (Vol 1%)
5-4 나노유체의 체적비별 열전도도
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물성 경향성 lab요소화.
2) 혼합 거동 안정화 해결.
3) 물성 의뢰 및 물성 데이터 정리, 분석.
3.개별 Project : 분산 구간 및 반응 온도에 따른 Silica컴파운드의 물성 변화 연구.
1) 분산구간에 따른 물성 변화 연구
목적 : 분산구간에 따른 Silica컴파운
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공중합 반응 메커니즘 등을 중심으로 다양한 중합 반응 메커니즘을 학습했고, 실제로 RAFT 중합 실험과 물성 분석을 수행한 경험이 있습니다. 실험 설계 시에는 단량체 조성, 반응 시간, 온도, 개시제 투입량 등 주요 변수를 체계적으로 설정하
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온도 편차와 시편의 미세한 재료 편차가 결과에 영향을 줄 수 있다는 점을 발견하고, 실험 환경을 개선하며 반복 실험을 수행해 신뢰성 높은 데이터를 확보했습니다.
팀원들과도 적극적으로 협력하며 연구 방향을 조율했습니다. 정기적인 연
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물성, 반응성, 수율 등에 큰 영향을 줍니다. 예를 들어, 온도 변화는 분자 구조 변화를 유도할 수 있고, 이는 코팅 두께나 반응 속도 등에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 작은 조건 변화도 미세하게 관리되어야 합니다.
6) 입사 후 어떤 계획을
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온도와 시간을 조정하여 최적의 내열 특성을 얻는 데 성공했으며, 연구 결과는 학회 발표 및 논문 게재로 이어졌습니다. 이 과정에서 어려움을 극복하고 목표를 달성하기 위해 꾸준히 노력하며 문제 해결 능력과 연구 역량을 크게 향상시킬
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