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Transistor), 터널 다이오드 증폭기, 저잡음 트랜지스터 증폭기 등이 사용되며 특히 잡음을 적게 하기 위하여 파라메트릭 증폭기 전단에 He냉각 및 전자 냉각장치들을 설치하여 사용한다.
③변복조계
1)변조계
변조계는 베이스밴드 신호를 가지고
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TR
2-3 R/L/C-기본 소자 시뮬레이션 제작
1-전류전압(전압측정)
2-battery(내부저항)
3-Capacitor(충방전)
4-Inductor(릴레이복원특성).
5-Diode(diode6)
6-Transistor(Tran6)
7-OP-AMP(opamp01)
8-발진기 (Osc01-LC발진기)
9-Gate
12-OsCiloscope. 1.반도체 소자의 형명 및 판별법
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Transistor
(BJT,FET,HEMT,HBT..)
Diode
(Schottky)
DC 입력
O
X
변환이득
conversion gain을 가짐
(입력보다 출력전력이 커질 수 있음)
conversion loss를 가짐
(입력대비 출력전력 감소)
회로구성
상대적으로 복잡
상대적으로 간단
특징
증폭현상이 수반되므로 결과
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transistor.pdf 1. JFET(Junction Field Effect Transistor)
(1) JFET의 기본적인 구조
(2) 동작원리 및 출력특성
① N-channel JFET의 동작원리
② P-channel FET의 동작원리
2. MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor FET, 금속 산화막 반도체 FET)
(1) 기본구조
(2) 동작원리
①
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특성
종류
속도
전파지연
소비전력
동작 주파수
약자
표준TTL
보통
10[㎱]
10[㎽]
36[㎒]
TTL
고전력TTL
고속도
6
22
50
H. TTL
저전력TTL
저속도
33
1
3
L. TTL
쇼트키TTL
고속도
3
19
125
S. TTL
저 쇼TTL
보통
9.5
2
45
LS. TTL
※ IC의 디지털 논리군의 특성 비교
①
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