Project_CMP PROCESS IN LSI LOSIC_68장

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목차

1. Introduction

2. CMP Process in L13/L9
- STI
- ILD
- W
- Cu
3.CMP APC

본문내용

Requirement of CMP
in Logic Devices
Why CMP
CMP Parameters
CMP Materials
Introduction of CMP Process in Devices
Purpose of CMP
각 소자간 분리(Isolation)을 위한
CMP로서 가장 정밀한 평탄도 조절이
필요함.
일반적으로 평탄도 특성을 향상 시키기
위하여 Stopper Material을 사용함
소자영역과 금속배선간 절연막 평탄화
금속 배선층간 절연막 평탄화
B/L 또는 Cell Contact Pad Poly CMP
소자/배선간 또는 금속층간 배선
금속배선 형성
전극 분리 (Cap.)
Capacitor 분리
Gate Roughness 개선
Defect 개선
소자분리
막질 평탄화
금속배선
Cap.분리
Buffing
Planarization, Node Isolation (Damascene)
Chemical Mechanical Polishing
Micro-Scope Phenomena in CMP
Oxide Slurry
Slurry in CMP
S-Project CMP Slurry/Chemical
L13/L9 Process 대응 (案, vs. Ivy)
CMP PAD
Conditioner in CMP
CMP Consumables
CMP Process Control
CMP Performance
CMP Equip. Type
Process Step of STI CMP
High Selective Mechanism in Ceria Process (L13)
FA-Web Process
Issue Summary in FA-Web CMP
FA-Web PAD
Dishing Issue in STI CMP
Pattern Density Control
Preparation for APC
APC in L13/L9 Cu CMP
APC in ILD/IMD CMP
APC in L9 STI CMP
CMP Process and APC
STI - CMP
ILD/IMD - CMP
W - CMP
Cu - CMP

CMP Equip. Vendors

키워드

Project_CMP PROCESS IN LSI LOSIC,   CMP Equip Vendors,   AMAT,   TSK,   Novellus,   EBARA,   Nikon,   silica,   process