[삼성전자 반도체][기술면접]반도체 공정 중의 산화막과 pn접합 다이오드에 대한 문제 풀이

소개글

[삼성전자 반도체][기술면접]반도체 공정 중의 산화막과 pn접합 다이오드에 대한 문제 풀이에 대한 보고서 자료입니다.

목차

■ 반도체 공정 중 산화막
● 산화막이란
● 열 산화(thermal oxidation)
● 건식 산화(dry oxidation)

■ p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리

■ 진성 반도체 , 불순물 반도체

■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)

■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극)

■ 순방향 바이어스 (Forward bias)

■ 역방향 바이어스 (Backward bias)

본문내용

PN접합으로 되어 있는 다이오드를 접합형 다이오드라 하고 현재 가장 일반적으로 사용되고 있다.
또, 다이오드는 발(리드선)이 2개 있는데 P형 반도체에서 나오는 발을 애노드(Anode)라하여 (+)극을 갖으며, N형 반도체로부터 나오는 발을 캐소드(Kathode)라 하여 (-)극을 가진다.
그리고 다이오드의 가장 큰 특성은 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 한다는 것이다.
■ 순방향 바이어스 (Forward bias)
순방향 바이어스란 전원의 +단자가 P형 반도체에 연결되고 -단자가 N형 반도체에 연결되었을 때를 말한다.
전기를 흐르게 하는 것은 전자와 정공이라는 2개의 캐리어로 이 캐리어가 움직이면 전류가 흐르게 된다.
P형 반도체에는 정공(hole), N형 반도체에는 전자(electron)가 존재하므로 위의 그림과 같이 P형 영역쪽에 전지의 +극을 연결하고, N형 영역쪽에 -극을 연결하여 전압을 걸면 전자는 전기에 이끌려 P형 영역으로 이동하고 정공은 전기에 이끌려 N형 영역으로 이동하게 된다. 이렇게 하여 P형 영역에서 N형 영역으로 전류가 흐르게 된다.
■ 역방향 바이어스 (Backward bias)
역방향 바이어스란 전원의 +단자가 N형 반도체에 연결되고 -단자가 P형 반도체에 연결되었을 때를 말한다.
위의 그림과 같이 P형 영역쪽에 전지의 -극을 연결하고, N형 영역쪽에 +극을 연결하여 전압을 걸면 전자는 전기에 이끌려 N형 영역으로 이동하고 정공은 전기에 이끌려 P형 영역으로 이동하게 된다.
이렇게 하면 P와 N의 접합면을 통과하는 캐리어가 하나도 없으므로 전류는 흐르지 않게 된다.

키워드

삼성전자,   반도체,   기술면접,   산화막,   pn접합,   다이오드,   열산화,   건식산화