목차
나노 임프린트의 기술개요
선진국 나노 임프린팅 기술 동향
UV임프린트
선진국 나노 임프린팅 기술 동향
UV임프린트
본문내용
지스트를 임프린트하기 위해서는 고압 (10-30 bar 정도)이 필요하기 때문에 기 제작된 하단의 나노 구조물을 파손시킬 소지가 있고, 불투명한 스탬프는 다층화 정렬작업에 불리하게 작용한다. 이에 반하여, UV-NIL은 1996년 Haisma 등[3]에 의하여 최초로 제안되었는데, PMMA와 같은 열가소성 재질을 사용하는 가열식-NIL과 달리 저점성 광경화성 수지와 이를 경화하기 위해 UV를 사용하는 것이 특징이다.
UV 나노임프린트 공정에서의 핵심은 나노 단위의 형상 정밀도를 가지는 스탬프를 정확하게 제작하는 것과 이러한 스탬프를 사용하여 패턴 형상을정확히 모사하는 것이다. 후자의 경우처럼 모사된 패턴이 원래의 형상을 잘 반영하기 위해서는 UV 조사에 의한 수지 경화 특성을 파악하는 것이 필수적이다.
UV 나노임프린트 공정에서의 핵심은 나노 단위의 형상 정밀도를 가지는 스탬프를 정확하게 제작하는 것과 이러한 스탬프를 사용하여 패턴 형상을정확히 모사하는 것이다. 후자의 경우처럼 모사된 패턴이 원래의 형상을 잘 반영하기 위해서는 UV 조사에 의한 수지 경화 특성을 파악하는 것이 필수적이다.
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