플래시메모리에 관한 심층연구

목차

목 차
1. 플래시 메모리 정의

2. 플래쉬메모리의 특성

3. 플래시 메모리 종류와 특징
1) 컴팩트 플래쉬 (Compact Flash : CF)
2)마이크로 드라이브 (Micro Drive)
3) 메모리 스틱 (Memory Stick : MS)
4) 스마트미디어 카드 (Smartmedia : SM)
5) SD 카드(Secure Digital Card)
6) 멀티미디어 카드(MultimediaCard)

4. 플래시 메모리와 하드 디스크 드라이브 비교

5. 플래시 메모리 적용 분야

6. 플래시 메모리 시장 업계 동향

7. 플래시 메모리 세계 시장 현황 및 전망

본문내용

인 요소도 나왔다. 일본 시장도 3월까지는 DSC 등의 조정이 지속될 것이라고 전망하는 한편, 4월 이후는 일부 제품에서 회복 조짐도 보여질 전망이다.
06년에는 65nm 4Gb 제품, 07년에는 1cell에 4Bit를 격납할 수 있는‘Quad Bit’를 적용한 8Gb 제품의 시장투입으로 NAND를 선도하는 「삼성전자」나 「도시바」를 맹추격할 계획이다. 이러한 제품을 실용화해 나가는 데 있어서 중요한 기술이 ORNAND이다. Mirror Bit 테크놀로지를 베이스로 하기 때문에 고속 쓰기·읽기를 실현할 수 있다. 특히 쓰기 속도는 기존 NAND의 2~4배라고 한다.
4) Intel : Intel은 대용량 NOR형 플래시의 미세화를 가속화한다. 현재 130nm 프로세스에 의한 양산이 주류이지만 90nm 제품이 본격 출하를 맞는다. 특히 NOR형이지만 512Mb 제품 등 대용량 제품의 시장투입을 서두르고 있다. Intel은 제5세대 다치화(多値化) 기술을 적용, 로드맵 상으로는 06년에 65nm 제품, 07년에는 45nm 제품을 샘플 출하할 예정이다. 금후에는 바야흐로 300mm 웨이퍼의 적용도 농후하다. 비트 환산율로서는 이미 04년에 이 다치화 제품이 80%를 차지하는 등 완전히 주역이 되었다. 휴대전화용 등의 사진·동화 대응이나 일부 프로그램 격납에 대응한 제1세대 DATA NOR의 대용량판도 이미 130nm 프로세스를 통해 256Mb 제품이 출하되고 있다. 어디까지나 프로그램 격납 등의 기기 부품용으로서의 전개를 목표로 하며 예를 들면 NAND 플래시라는 Data Storage계의 제품과는 분명히 구분짓는다.
5) 르네사스테크놀로지 : 르네사스테크놀로지는 프로그램 격납용 NOR형과 더불어 메모리 카드용 Data Storage용 AG-AND 등을 라인 업한다. 현재 주력은 Data Storage용 1~2Gb로 이행 중이다. 1년 전에는 월 5만개에 머물렀지만 04년 말에는 월 230만개로 끌어올렸다. 또한 DSC나 휴대용 부품용으로 super AND도 취급하고 있으며 주력은 128Mb, 256Mb, 512Mb이다. 대용량 4Gb 제품은 제4대째 다치화 기술에 돌입, 05년 중반에 90nm로 양산에 들어간다. 또한 8Gb 제품은 65nm 프로세스로 06년 4/4분기에나 양산을 시작한다. 현재의 주 프로세스는 130nm이다. 3년 후 애플리케이션의 구성비율로서 ‘메모리 카드, 음악 플레이어·휴대용 등의 부품용도, USB 메모리’가 각각 약 1/3씩을 차지했으면 하는 바램을 갖고 있다.
6) STMicroelectronics : STMicroelectronics는 플래시 메모리 사업으로서 NOR형, NAND형을 전개하고 있다. NOR형으로서는 Single Bit 대응 1~128M 제품, Multi Bit 대응 128/256M 제품을 제품화했다. 1/4M 제품이 HDD나 OA기기, 8/16M 제품이 DVD, 16/32M 제품이 DSC, 64~256M 제품이 휴대전화, 256M 제품이 슬롯머신용으로 출하되었다. NAND형으로서는 1~256M 제품을 라인 업하여 메모리 카드용으로 128~512M, USB 메모리용으로 512M 제품, IC 레코더나 DTV 및 DVD 레코더용으로 128M, 256M 제품이 출하되었다. 생산체제로서는 설계, 시제작, 양산을 위한 기반공장인 이탈리아 「아그라테공장」, 이탈리아 「카타냐공장」 등이 있다. NAND형은 한국 「Hynix Semiconductor」에 파운드리 위탁하고 후공정은 「무어공장」으로 대응하며 또한 중국 우시(Wuxi, 無錫)에 건설 중인 공장에서는 200&300mm 웨이퍼의 생산능력을 확보할 계획이다. 다만 제조장치의 반입은 적어도 당초 계획보다 많이 늦어질 것이라고 현지 소식통은 예측하고 있다.
7) SST : SST는 1~32Mb의 비교적 저용량 NOR형 제품이 우수한 기업이다. 512K~4Mb급에서의 점유율은 절반 이상에 달한다. 수량으로는 연간 5억개를 출하하고 있다. 이 회사는 금후 중용량 제품이나 대용량 데이터 플래시 분야로의 본격적인 전개를 검토하고 있다. 특히 16M이나 32M의 중용량 제품은 05년부터 드디어 양산에 들어간다. 64M 제품은 05년 1/4분기에 샘플 출하를 계획하고 있다. 또한 128M 제품의 샘플 출하는 4/4분기로 예정하고 있다. 제조는 파운드리를 활용하고 있는데 「삼성전자」, 「TSMC」, 「산요전기」 외에 「그레이스 세미컨덕터」나 「HH-NEC」 등의 중국 파운드리 기업을 채용하는 경우가 늘고 있다. 요즘은 디지털 카메라용이나 MP3 플레이어 등의 영역으로 시장이 급 확대되어 가고 있는 NAND 시장에 참가하기 위해 준비 중이다. 이른바 Gb용량의 데이터 플래시에의 신규참가를 계획하고 있다.
8) Micron Technology : Micron Technology는 06년을 목표로 NAND형 2Gb 제품을 중심으로 증산해 나가고 있다. 16Gb 제품까지 라인 업에 포함시킨다. 생산은 90nm를 적용하여 「보이지(아이다호주)」 본사공장에서 이루어지고 앞으로는 「마나사스(300mm 공장)」에서도 양산할 예정이다.
7. 플래시 메모리 세계 시장 현황 및 전망
- Gartner는 2006년 NAND 플래시 메모리 시장이 매출액 기준 2005년 대비 37.3% 성장한 147억 4,650만 달러를 기록한 것으로 보고 있으며, 2008년까지 2004~2008 CAGR 26.2%의 성장세를 나타낼 것으로 전망
- NOR 플래시 메모리 시장은 매출액 기준 전년대비 4.8% 감소한 67억 4,060만 달러 수준으로 전망하고 있으며, 2008년까지 CAGR -9.5%의 감소세를 보일 것으로 예상
- 유닛당 평균 단가는 NAND 플래시는 연평균 2.6%의 감소세를, NOR 플래시는 연평균 2.4%의 증가세를 나타낼 것으로 전망되며, Mb당 평균단가는 각각 45.4%, 33.6%의 높은 감소세를 나타낼 것으로 전망
- NAND 플래시 메모리의 Mb 기준 출하량은 2008년까지 연평균 성장률 146.5%를 기록할 것으로 예상되고 있으며, NAND 플래시의 용량 증가가 매우 빠르게 진행되고 있음을 시사

키워드

플래시메모리,   플래시 메모리,   플래시,   메모리,   멀티미디어카드,   스마트카드,   반도체