플래시 메모리 (flash memory) 에 대해서

소개글

플래시 메모리 (flash memory) 에 대해서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 서론

2. 플래시메모리란

3. 낸드플래시메모리

4. 노어플래시메모리

5. 결론

본문내용

더 정확히 이해 할 수 있다. 좌측 NOR 플래시의 그림을 보면 회로가 병렬적층 되는 것을 알 수 있다. 이해를 쉽게 하기 위해서는 현재 컴퓨터 메인보드의 듀얼메모리 (512 1개의 메모리보다 같은 성능의 2개의 256메모리를 장착할 때 성능이 전자보다 더욱 많이 나오는 기능 / 일종의 시너지효과) 와 비슷하게 이해하면 된다. 빠른 랜덤엑세스가 가능하다. 또한 왼쪽의 낸드플래시를 보면 오른쪽의 노어플래시보다 단위셀이 작고 간단하며 좁은 공간에 많은 적층으로 대용량 구성이 용이하고 빠른 순차엑세스가 가능하다.
그림.5 NOR, NAND 플래시선폭기술
그림 5를 통해 실제로 낸드/노어 두 가지 플래시의 크기가 어느 정도 차이가 날 수 있는지를 보여주고, 선폭기술이 0.18㎛에서 0.13㎛로 줄어들 때 줄일 수 있는 메모리의 크기를 보여준다. 두 가지 플래시 메모리의 특성은 아래의 도표와 같다. 첫 번째는 처리속도(쓰기속도), 두 번째는 삭제속도, 세 번째는 읽기 속도로
그림.5 NOR, NAND 플래시의 성능비교
쓰기/삭제와 같은 랜덤엑세스가 필요한 부분에서는 노어플래시가, 단순 읽기 속도에서는 낸드플래시가 뛰어난 성능을 보여준다. 이 두 가지는 플래시 메모리의 앞으로의 나아가야 할 방향을 제시하는 것으로 고용량/고집적과 더불어 빠른 처리속도를 실현할 때 하드디스크의 무게와 전력사용량, 그리고 내 충격성의 문제점을 획기적으로 제거한 플래시메모리가 보조기억장치로 대체된 초경량 노트북 혹은 멀티미디어 기기들을 만들 수 있게 될 것이다.
그림.6 NOR(code), NAND(data) 플래시의 년도 별 용량 변화
5. 결론
2000년부터 휴대전화기의 저장 공간을 위한 플래시의 용량은 그림 6과 같이 커져갔다. 2005년 현재 쓰고 있는 본인의 휴대전화기 용량은 무려 128MB이다. 삼성전자는 올해 300mm 웨이퍼를 통한 16기가 낸드플래시 생산에 성공했고 삼성전자 황창규사장은 인텔 창업자인 고든 무어의 반도체 기술발전 전망으로 반도체의 집적도가 각각 18개월마다 두배로 1년마다 두 배로 늘어날 것이라는 예측을 6개월 단축시킨 1년으로 전망하고 노트북 하드디스크를 대체하겠다고 야심차게 밝히고 있다.
참고
[1]네이버 지식검색 http://100.naver.com/
[2]삼성전자 홈페이지 http://www.sec.co.kr/index.jsp
[3]다음 뉴스검색 http://tab.search.daum.net/

키워드

플래시,   메모리,   낸드,   노어,   flash memory