반도체 공정 실험

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반도체 공정 실험에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

소가 필요하다. 줄열을 발생되어야 하므로 물질을 고정하는 보트가 전극에서 받는 전류를 그대로 흘려보내지 않도록 저항이 있어야한다. 그리고 보트가 증착시키려는 물질과 반응성이 작어야 하고, 보트가 녹지 않도록 녹는점이 높아야한다. 이 세 가지를 만족해야한다. 이 세 가지 요소를 만족하는 보트의 물질로 텅스텐(W), 몰리브덴(MO)로 이를 실제로 사용한다. 물질이 증발할 때 얼마나 날라 갔는지 알 수 없다. 증착 시 시크리트 모니터에서 쿼츠크리스탈이 흐르는 전류를 측정을 해서 초당 몇 마이크로의 물질이 붙는가를 측정을 하며 그것을 토대로 셔터를 원하는 속도로 물질이 증발할 때까지 닫아두었다가 열어서 증착을 조절할 수 있다. Evaporator는 Mean free path가 되게 길다. 이론상으로 다른 원자랑 충돌을 하지 않는다. Evaporator의 단점으로 Shadow현상이 있는데 이를 보완하기 위해 Evaporator 위에 Rotator가 존재 하고 그것이 기판을 회전시켜 최소한의 균질도를 보장한다.
●Electron-beam Evaporator
- 각종 금속 (Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 다양한 유전체박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비로 고융점에서 증착이 가능하고 증착속도가 바른 장점이 있다. E-beam Evaporator의 원리는 E-beam Source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착 재료가 가열되어 증발하는데 이때 윗부분에 위치한 기판에 박막이 형성되는 원리를 이용한 것이다.
●PLD(Plused Laser Deposition)
- PLD는 그림과 같이 외부에서 Target으로 주입되는 Laser Source를 이용해 Target의 조성의 변화 없이 기판가지 증착시키는 물리적인 증착 방법이다. PLD는 Sputter와 달리 Laser를 직접 Target에 주사하여 Target의 분자를 고에너지로 때려 원자나 이온형태가 아닌 분자형태로 뜯어내 기판에 증착시킴으로써 기판사이에 조성의 차이가 없이 증착을 시킬 수 있다. 대신 위에서 보는 것과 같이 PLD는 Target으로부터 나온 Laser Plume의 면적만큼 기판에 증착하게 된다. 이러한 단점을 극복하기 위해서는 Target과 기판사이의 거리를 조절하는 방법과 기판을 Rotation시키는 두 가지 방법이 있다.

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