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공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 sputter를 이용하여 Ar기체가 플라즈마 상태가 되어 Cu원자와 탄성충돌, 그 결과 구
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플라즈마 발생 메커니즘
1) DC 방전 (DC Discharge)
(1) 파센 법칙(Pachen’s Law)
(2) DC 글로우 방전의 특성
2) 라디오 주파수 방전(Radio Frequency Discharges)
3) 마이크로파 플라즈마(Microwave plasmas)
5. 금속을 함유한 원료의 플라즈마 처리 공정
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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플라즈마의 적용분야
6.저온 플라즈마의 적용분야
7.열플라즈마 재료합성
8.환 경 분 야
9. 소각재 재처리 기술
7. 플라즈마기술의 응용분야
(1) 해리 공정
(2) 휘말과 승화 공정
(3) 염화, 산화, 배소 공정
(4) 환원 공정
(5) 재용해
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공정을 통해 이루어진다
소자층에 흠을 내지 않고 포토레지스트를 제거하는데 고온의 플라즈마가 사용된다. 이는 산소플라즈마 체계에서의 레지스트를 산화(태우는)시킴으로써 레지스트를 부풀리거나 들어올리는 화학적 작용에 의해서 이
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