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반도체 공정기술, 황호정 저, 생능출판사
공정플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반도체공정 및 장치 기술 , 이형옥 저, 상학당
박막공정의 기초, 최시영 외 공저, 일진사
나. 논문
최근의 대체세
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(iodine)법이 등장햇고, 1940년대부터는 고순도 게르마늄, 실리콘의 제조법 등의 반도체공업에 깊은 관계를 갖게 되었고, 1970년대에는 반도체집적기술의 발달과 더불어 고순도, 고품질의 박막형성에 없어서는 안 될 기술로 되었다. 없음
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공정 상의 주요한 문제점을 가지고 있다. 그것은 마이크로 집적회로 상의 접촉면이 매우 미세하므로 불순 입자의 영향이 크기 때문이다. 더욱이 이러한 방법들은 절연체나 반도체 박막의 증착에는 적합하지 않다. 이 장에서는 화학적인 반응
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및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
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반도체 공정기술’, 생능출판사, 1999
[5] 윤현민, 이형기, '반도체 공학', 복두출판사, 1995
[6] 이종덕, '실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997
[7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositio
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