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실리콘의 습식 식각
7. 열산화막의 습식 식각.
8. 질화 실리콘의 습식 식각
9. 건식 식각
10. 이온주입 (Ion Implantation)
11. 이온 주입의 특징 및 응용
12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporat
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증착법 (chmical vapor deposition, CVD)
2. GaN
2.1. GaN의 특성
2.2. GaN 기질
2.3. GaN 성장에서 문제점
2.4. 단일 선구 물질을 사용한 MOCVD
Ⅲ. 실험 장치 및 방법
1. Undoped-GaN 에피층의 성장
2. Undoped-GaN 의 열처리
3. 분석 및 장비
Ⅳ.
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증착시킨다. 실리콘 IC에 들어가는 금속 박막이 거의 이러한 방법으로 만들어지고 있기는 하지만, 물리적인 프로세스는 공정 상의 주요한 문제점을 가지고 있다. 그것은 마이크로 집적회로 상의 접촉면이 매우 미세하므로 불순 입자의 영향이
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실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997
[7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition’, 전북대학교, 2008
참 고 사 이 트
[9] http://blog.naver.com/ycin6306/90021955004
[10] http://blog.naver.com/ungoni?Red
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겨 담가둔다.
'디아이워터'로 중화시키기 위해서이다.
③실리콘 웨이퍼위에 남아있는 물기를 제거하기위해 '질소건'으로 제거해준다.
‘질소건’을 사용할때는 실리콘 웨이퍼에 수직으로 바람을 불어주어서 웨이퍼가 날아가지 않도록 주의
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증착법
(2) 열처리에 의한 재결정법
(3) 직접 증착법
(4) 엑시머 레이저 열처리법
ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6
(1) 결정화 순서
(2) 공 정
(2-1) 전반적 공정
(2-2) E
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실리콘의 한계가 드러나고 있습니다. 10년 후에는 반도체 칩에서 실리콘이 아닌 새로운 물질의 비중이 늘어날 것입니다. 서로 다른 물질을 증착할 때, 재료의 표면을 고려하는 것이 중요한데 재료공학도로서 재료의 표면 및 계면을 이해하고
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