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예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1-a : BJT 전류-전압 특성
NPN BJT 의 직류 전류이득 βDC 계산값
직류 전류이득 βDC (계산 값)
10
1.374
137.40
20
2.981
149.05
30
4.629
154.30
40
6.276
156.90
50
7.905
158.10
60
9.509
158.48
70
11.085
158
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예비실험): 실험 절차
①ELVIS II를 연결 후 저항값과 캐패시터 값을 DMM으로 측정한다.
②NPN BJT 소신호 공통 이미터 측정기 회로의 바이어스 회로들을 구성하고 , 값을 측정한다.
③공통 이미터 증폭기 회로의 RL 값을 100옴, 10k옴, 1M옴으로 바꾸
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1. 목적
BJT 차동 증폭기의 대신호 동작과 소신호 동작을 이해한다.
2.예비지식
그림 18.1에 기본적인 차동 증폭기(differential amplifier) 또는차동쌍(differential pair)의 회로구성을 나타냈다. 두개의 트랜지스터 (Q1,Q2)는 이미터와 함께 연결되
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1. 목적
1) 논리 반전기의 회로기능과 중요한 특성들을 이해한다.
2) BJT를 이용한 논리 반전기 회로를 실험을 통해 이해한다.
2.예비지식
2.1 이상적인 디지털 논리 반전기
논리 반전기는 입력 신호의 논리 값을 반전시킨다. 따라
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1.목적
능동 부하를 가진 bjt 차동 증폭기의 전압 이득과 출력 저항을 실험을 통해 구한다.
2.예비지식
회로에서, 트랜지스터 Q1과 Q2가 차동쌍을 형성하며, 이들 트랜지스터는 정전류 IEE로 바이어스 된다. 부하 회로는 전류 미러 형태로
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것처럼 교류의 첫 번째 반 사이클에서 콜렉터 전류가 흐른다. 두 번째 반 사이클에서 다이오드는 개방 회로처럼 동작하므로 콜렉터 - 에미터 접합에는 어떤 절류도 흐르지 않는다. 다이오드 D가 회로를 차단하지 못했을 경우 콜렉터에 걸린 순
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와 BJT의 차이점을 알아보고, R1과 R2값을 결정한다.
FET와 BJT는 동작 원리가 전혀 다르다. FET는 전압 제어소자인데 대하여 BJT는 전류 제어소자이다. BJT와 비교해서 FET의 주요 특징으로는 입력 임피던스가 높고, 전류성 잡음이 매우 작고, 혼변조
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이미터 바이어스 : 가 증가하면 안정성이 감소한다.
전압 분배기 바이어스 : 가 증가하면 안정성이 감소한다.
참고
문헌
설계 방법
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
표준 저항 값 결정
NAVER 지식 IN 표준 저항 값
BJT 설계
기초전자회로
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BJT는 소수캐리어확산 거리에 비해 상당히 좁은 영역을 사이에 둔 세 개의 엇갈리게 도핑된 영역을 가지는 반도체이다. 이고 = 10uA라고 하더라도 가 흐를수 있게 최소한의 를 인가해주지 않으면 = 0A가 된다. 가 증가할수록 도 증가하는 포화(Stur
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BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이 회로를 구성해서 PSPICE 시뮬레이션을 수행하여 log()and log() vs (Gummel plot), -log(), - 그래프를 구하시오. 단, CA3046의 Gum
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