|
등가전압원 Veq= 6V, 등가저항 Req= 40kΩ으로 하고 각각의 저항에 걸리는 전압과 전류를 측정한 값을 표로 나타내면 다음과 같다.
60KΩ 80KΩ 120KΩ
전압 3.588V 3.958V 4.46V
전류 57.3μA 48.6μA 36.3μA
2) 노턴 등가회로
V, R1, R2, R3, RL 값은 실험 1
|
|
|
전원
4. 전압원
5. 전류원
6. 전원의 결합
7. 키르히호프의 법칙
8. 전원 변환
9. 중첩원리
10. 테브난/노턴 등가회로
11. 등가 저항
실험방법
실험 1. 테브난의 등가회로
실험 2. 노턴의 등가회로
실험 3. 휘트스톤 브릿지 회로
예상결과
|
|
|
등가회로 전류 A2는 11.25mA 가 나왔고 원래 회로에서 부하 전류 IL는 11.03mA가 나왔다.
오차
A
R
( 측정값-계산값 OVER 측정값 ) * 100 %
0.1604%
0.0408%
위 표처럼 노튼 정리 역시 테브난의 정리와 마찬가지로 실험으로 확인한 결과 옳다는걸 알수 있다.
|
|
|
등가 저항으로 직류 회로단을 고쳐서 실험하면 동일한 효과를 얻을 수 있다. 등가회로 치환방법은 다음과 같다.
Reference : -전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청
|
|
|
회로를 연결 한 후, 6Ω에 흐르는 전류를 측정한다.
D. 이론값과 비교한다.
6. 참고문헌
회로이론 기초 / 이병효 / 동일출판사 / pp52~60
기초전자 실험 / 진경수 / 한올출판사 / pp152~177 1. 실험날짜
2. 실험제목
3. 실험목표
4. 기본이론
5
|
|
 |
rding Length : 250K
Trigger Position : 40
Cycles : 5 10 5 25 5
2.3.2 실험 방법
[그림 1-3] 3차권선 실험 계통도 등가회로
[그림 2]는 사고전류제한기의 실험 계통도를 나타내었으며 [그림 3]는 이 계통을 등가회로로 나타내었다.
사고전류제한기의 특성을 알아
|
|
|
등가회로 22
<그림 5> HVDC송전과 HVAC송전의 경제성 비교 23
<그림 6> 국가별 수출 현황 30
<그림 7> 국가별 수입 현황 31
<그림 8> 자체기술개발시 문제점 34
<그림 9> 기술개발에 대한 정부의 지원정책 35
<그림 10> 기술개발의 추진방법 35
<그림 11
|
|
|
전자소자를 이용한 전자 스위칭 방식의 BLDC 서보 모터로 대체되어가고 있는 상황에 있다. 따라서 DC 모터의 한 부류인 BLDC 모터의 경우 90년대 이후로 컴퓨터 산업을 포함한 정보화 산업의 급속한 발전에 따라 그 생산량이 급성장하고 있다.
이
|
|
|
전자공학부 학생으로서 공부해 온 회로설계 시 필요한 많은 이론과 실험 수업을 통해 실제적인 지식을 적용시켜 작품을 만들어 낸 것은 보람이 있었다. 학부 과정 중 배운 이론을 토대로 시물레이션(P-SPICE)을 이용해 회로를 디자인하고 실제
|
|
|
제조기술 11
2.2.2.2 LED 광원(전구) 제조기술 12
2.2.2.3 LED 구동회로 제작기술 16
2.2.2.4 LED 응용분야 21
2.2.3 LED 시장 동향 24
2.2.3.1 국내시장 24
2.2.3.2 해외시장 25
2.2.3.3 기업동향 26
2.3 LED의 발전가능성 29
제 3 장 결 론 31
參考文獻
|
|
 |
회로 소자 중 선형 소자인 저항, 캐패시터, 인덕터에 대하여 그 개념에 대하여 공부하고, 이들 소자로 구성된 회로에 대하여 수학적인 모델을 세우고 전압, 전류를 구해 기본적인 이론을 학습할 수 있었습니다..
전자전기실험에서도 마찬가지
|
|
 |
전자장2(2013) / A학점 취득
마이크로프로세서0000(2014) / A학점 취득
전자회로설계(2014) / A학점 취득
물리전자(2014) / B+학점 취득
마이크로0000(2014) / A학점 취득
종합00프로젝트(2015) / A학점 취득
컴퓨터00(2015) / A학점 취득
0000설계실험B(2015) / A+학점
|
|
 |
물리학과 전자공학을 복수 전공하며, 저는 디스플레이 기술의 핵심이 되는 광학, 반도체 물리학, 그리고 전자 회로 설계에 대한 심도 있는 지식을 쌓았습니다. 이러한 학문적 배경은 실제 적용 가능한 기술적 해결책을 모색하는 데 필수적이
|
|
 |
실험과 프로젝트를 통해 실제 적용 가능한 기술적 능력을 발전시켰습니다. 이 능력은 삼성SDI에서 실제 제품 개발과 공정 개선에 크게 기여할 수 있을 것입니다. 1. 지원 동기 및 입사 후 포부
2. 학업 및 전문성
3. 경력 및 경험
4. 강점 및
|
|
 |
실험
61
전산화학
28
분석화학
62
천연물화학
29
분석화학실험
63
촉매화학
30
분자분광학
64
통계열역학
31
산업화학
65
헤테로고리화학
32
상평형
66
화학 및 실험(I,II)
33
생물리화학
67
화학(I,II)
34
생화학
68
화학개론
물 리 학
1
고급전자물리실험
3
|
|
메뉴펼치기
