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개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type
Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)
참고문헌
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동작원리
2. PHOTO DIODE 의 대표 특성
1) V-I 특성
2) 분광감도
3) 응답특성
4) 암전류
3. 형상
Ⅴ. 발광다이오드(LED)
Ⅵ. 제너다이오드
1. 제너 다이오드의 동작
2. 제너 다이오드의 성격
3. 제너 다이오드의 응용
Ⅶ. 터널다이오드(에
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다이오드를 이용한 정전압 회로 실험
- 표1-3. 전압 조정 측정치
실험내용
Iz 값 (mA)
Vab 값 (V)
Vs 값 (V)
3-1
2
11.4
9.6
3-2
3.924
13.4
9.6
3-3
0.016
9.4
7.7
이와 같은 정전압 회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다. Vs 가 작을 때에는 부하에 걸리는 전압이 선형
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다이오드의 정격을 넘어서지 않는 최대 전류를 나타낸다.
IZK ~ IZM 역방향 전류 범위에 대해 양단 전압을 거의 일정 유지.
IZT는 제너임피던스 Zz 로 정의.
제너 다이오드의 이상적인 모델 : 항복 영역에서 동작하는 제너 다이오드 양단 전압은 명
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다이오드(제너 다이오드)
기호역방향으로 전압을 가했을 경우에 어떤 전압에서 안정하는 성질을 이
하여, 일정한 진압을 얻기 위해 사용한다.
PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압 용으
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